納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用
小米集團(tuán)和納微(Navitas)宣布,其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用,用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機(jī)。 小米董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會(huì)上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵(GaN),這是一種新的半導(dǎo)體材料,其運(yùn)行速度比以前的硅(Si)電源芯片快100倍,因此僅需45分鐘即可對(duì)Mi 10 PRO進(jìn)行0至100%的充電。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202002/410011.htm雷軍在直播發(fā)布會(huì)上表示:“GaN(氮化鎵)作為一種新半導(dǎo)體材料,給充電器,帶來(lái)了無(wú)法想象的效果。它特別小,充電效率特別高,比小米10 Pro標(biāo)配的65W充電器再小了一半?!?雷軍為推廣氮化鎵技術(shù),鼓勵(lì)消費(fèi)者和米粉們關(guān)注新時(shí)代充電技術(shù)變化。
據(jù)悉,小米早前就已投資納微(Navitas)半導(dǎo)體,為這次合作埋下伏筆。小米的投資策略是通過(guò)資金注入,確立產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作,同時(shí)兼顧投資和業(yè)務(wù)的雙重收益。通過(guò)此次合作,納微(Navitas)半導(dǎo)體也得以拓寬銷售渠道。這正是小米扶持合作企業(yè)、推動(dòng)制造業(yè)升級(jí)、帶動(dòng)行業(yè)活力的證明,并最終發(fā)布了帶有GaNFast充電技術(shù)的小米Mi 10 PRO。
納微(Navitas)半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Gene SHERIDAN在會(huì)后表示:“非常高興看到小米對(duì)新材料,新技術(shù)所持的開(kāi)放態(tài)度。納微半導(dǎo)體自成立以來(lái)就專注于GaN材料的技術(shù)運(yùn)用和創(chuàng)新,所開(kāi)發(fā)的GaNFast功率IC是FET,驅(qū)動(dòng)器和邏輯的單片集成,可實(shí)現(xiàn)極小的應(yīng)用尺寸和高效率。對(duì)于希望走在前端、引領(lǐng)技術(shù)潮流的廠商,GaNFast技術(shù)會(huì)為他們的產(chǎn)品注入高性能和差異化!”
納微(Navitas)半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)總經(jīng)理查瑩杰則表示:“目前智能手機(jī),平板電腦和筆記本電腦的電池容量不斷增加,另一方面,消費(fèi)者卻需要更快的充電體驗(yàn),而GaNFast技術(shù)具有小尺寸、輕量和高效的優(yōu)勢(shì),因而極具吸引力。GaNFast技術(shù)為業(yè)界帶來(lái)小巧、高效的充電器,可以為手機(jī)和筆記本電腦等電子產(chǎn)品快速充電。”
小米65W GaN充電器Type-C 65W的核心器件采用的是納微半導(dǎo)體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,它們針對(duì)高頻、軟開(kāi)關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化,通過(guò)FET、驅(qū)動(dòng)器和邏輯的單片集成,創(chuàng)建了非常小并且非??斓囊子谑褂玫?“數(shù)字輸入,電源輸出” 高性能電源轉(zhuǎn)化模塊。使用GaNFast技術(shù),小米65W GaN充電器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。
評(píng)論