LPDDR5內(nèi)存韓美企業(yè)“三雄爭霸”，中國進展如何？

然而，新技術(shù)的誕生往往意味著產(chǎn)能爬坡、良率問題，反饋到市場上即采購成本較高?？梢哉f，手機廠商將無法回避采購價格和性能提升之間的矛盾。雷軍也曾表示，“LPDDR5唯一缺點就是成本比較貴”。但預計過一段時間也會降到合理水平，并下沉至更多中高端5G智能手機中。

中國公司進展如何？

在LPDDR5將成“5G時代旗艦標配”背后，三星、美光、SK海力士不僅走在存儲芯片技術(shù)前沿，擁有大量專利，而且市場占有率總計接近95%。而國內(nèi)相關(guān)技術(shù)積累較薄弱，自給能力不足。賽迪數(shù)據(jù)顯示，2018年中國大陸進口存儲芯片價值已超1200億美元，同比增38.3%。

DRAMeXchange數(shù)據(jù)截圖

突圍存儲行業(yè)成為國家戰(zhàn)略議題。2014年6月，國務院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，開始集中力量發(fā)展存儲芯片等。在布局的三大基地中，武漢新芯于2016年7月被紫光集團收購，后更名為長江存儲。該公司擁有規(guī)模為240億美元的存儲芯片制造中心，但主要是NAND閃存。

與長江存儲不同，福建晉華成立初期致力于DRAM存儲芯片開發(fā)。不過，由于相對缺乏技術(shù)積累，晉華選擇了與臺灣聯(lián)電合作引進技術(shù)的道路。自2016年5月起，晉華提供數(shù)億美元資金采購研發(fā)設備，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。成果雙方共有，整體技術(shù)完成后，再轉(zhuǎn)移到晉華進行量產(chǎn)。

在晉華已整體投入達約56億美元時，原本預計于2018年底投入DRAM內(nèi)存的試產(chǎn)，這將意味著中國大陸首個DRAM內(nèi)存自制成功。但是由于美光公司的訴訟，美國政府在2018年10月將晉華列入“實體名單”，并實行禁運。隨后聯(lián)電宣布中止與晉華合作，撤走研發(fā)人員，整個工程陷入停擺至今。

在國際新態(tài)勢下，紫光集團于去年6月宣布重啟DRAM計劃并組建DRAM事業(yè)群，由曾任工信部電子信息司司長的刁石京出任董事長，“臺灣DRAM教父”高啟全任DRAM事業(yè)群CEO。不到兩個月后，紫光集團在重慶成立紫光國芯公司，建設DRAM存儲芯片制造工廠，計劃2021年完成。

上圖：高啟全，下圖：坂本幸雄

存儲行業(yè)人才是“瑰寶”。紫光集團于2019年11月15日再宣布，前日本爾必達社長坂本幸雄出任集團高級副總裁兼日本分公司CEO。他后來在接受采訪時曾表示，紫光的目標是5年內(nèi)量產(chǎn)DRAM內(nèi)存，且將在日本設立開發(fā)中心。據(jù)悉，紫光內(nèi)部已計劃在未來十年內(nèi)投資8000億元人民幣，以加快DRAM量產(chǎn)。

目前，國內(nèi)DRAM內(nèi)存的最大希望在于合肥長鑫存儲。去年9月20日，長鑫存儲在世界制造業(yè)大會上宣布：總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片項目正式投產(chǎn)，同時其10nm級第一代8Gb DDR4在大會上首度亮相。這標志我國在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破。

據(jù)悉，長鑫存儲正在使用10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標是在2020年第一季度上市，并將使用同樣的技術(shù)在2020年下半年制造 LPDDR4X內(nèi)存。長鑫存儲的技術(shù)路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存，但尚未公布具體時間。

在產(chǎn)能方面，長鑫存儲12英寸晶圓制造基地項目于2016年由合肥產(chǎn)投和北京兆易創(chuàng)新(341.130, 14.06, 4.30%)合作投資，是中國大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運營團隊的DRAM項目，也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目。當前月產(chǎn)能2萬片，該公司計劃在2020年第二季度將產(chǎn)能提高一倍，約占全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%。

為提升產(chǎn)能，長鑫存儲計劃再建兩座晶圓廠，圖為廠房效果圖

圖源：長鑫存儲

值得一提，長鑫存儲最初的DRAM技術(shù)重要來源是德國的奇夢達。通過與這家曾位居全球第二的DRAM制造商合作，長鑫存儲將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中。目前，該公司已拓展更廣泛的研發(fā)合作，且一直在從韓國和中國臺灣地區(qū)招募工程師，以建立DRAM相關(guān)人才儲備。

結(jié)語

相比前代產(chǎn)品LPDDR4x，LPDDR5確實具備更優(yōu)異的性能、速率和功耗表現(xiàn)，但還不至于所謂的“跨越性升級換代”。某種程度上，LPDDR4屬于4G手機時代，而LPDDR5似乎為5G手機而生，并且具備更好的應用擴展性。在這一具備市場前景的領(lǐng)域，三星、美光和SK海力士已然開始攻城略地，并將與“買單”的智能手機廠商相互推動或拉鋸。

2019年8月27日，重慶市與紫光集團簽署項目合作協(xié)議，建設DRAM存儲芯片制造工廠

鑒于當前國際形勢和存儲行業(yè)現(xiàn)狀，中國不僅需要有自主的DRAM制造能力，也需要奮起直追、以先進產(chǎn)品破局。盡管行業(yè)存在高投入、高風險、周期長等特性，但如果政府統(tǒng)籌發(fā)展、整合各方資源，企業(yè)堅持長期、大力投入科研，市場積極推進國產(chǎn)化戰(zhàn)略等方面有機化合，或許有理由相信：在14億人的大地上并無難事，“只要肯登攀”。