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          儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2020-02-25
				來源：汽車電子應(yīng)用

				
				
				
				
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          威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202002/410233.htm
          SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開關(guān)相關(guān)的功率損耗。
          與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試，符合RoHS要求且不含鹵素。
          這款N-Channel MOSFET的應(yīng)用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、服務(wù)器和醫(yī)療設(shè)備的DC/ DC轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)和次級(jí)側(cè)開關(guān)；用于服務(wù)器和電信設(shè)備中電壓調(diào)節(jié)的半橋功率級(jí)和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器；電信和服務(wù)器電源中的OR-ing功能；用于開關(guān)電容器或開關(guān)柜轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)；電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備中的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制；以及電池管理模塊中的電池保護(hù)和充電。 
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        威世N-Channel
                        MOSFET
                        封裝
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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