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          電機(jī)的應(yīng)用趨勢及控制解決方案

          作者:顧偉俊 時間:2020-03-03 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          顧偉俊? (羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師)

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202003/410476.htm

          摘? 要:介紹了的應(yīng)用趨勢,以及、功率器件的產(chǎn)品動向。 

          關(guān)鍵詞:;;;

          的應(yīng)用趨勢 

          隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的普及深化,在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng)域以及工業(yè)領(lǐng)域,各類電機(jī)在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的需求。 

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          在家電領(lǐng)域,電器的智能化需要電器對人機(jī)交流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如掃地機(jī)器人需要掃描計(jì)算空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)的清潔工作。這里除了各類傳感器和復(fù)雜的計(jì)算,其執(zhí)行單元都離不開電機(jī)的應(yīng)用。 再譬如,智能家居概念下,在接收到控制命令后,冰箱的開門、打開抽屜可自動完成,這個概念也需要增加多組電機(jī)。 

          汽車智能化對電機(jī)的需求更加明顯,例如新開發(fā)的乘用汽車,普遍將電動車門、電動車窗、電動后視鏡、電動座椅、多風(fēng)口可控自動變頻空調(diào)等概念普及,這些新增的功能使電機(jī)的數(shù)量急劇增加。考慮到這些電機(jī)的應(yīng)用場合以及設(shè)計(jì)使用壽命,48 V以下的、步進(jìn)電機(jī)等會出現(xiàn)較快的增長。同時新的需求以及成本的壓 力,對電機(jī)控制器提出更復(fù)雜的要求,例如從原有的并行通訊,改為串行或者總線通訊,以減少整體布線并提高兼容性。例如增加各類電壓、電流、溫度的實(shí)時監(jiān)測并反饋,以便電器安全自診斷與保護(hù)。例如對電機(jī)控制的待機(jī)功耗提出苛刻的要求,以滿足各類電器的能耗要求等。并且對電機(jī)本身的功率密度也會有強(qiáng)烈的要求,以滿足工作條件下更低功耗、更低的散熱、更緊湊的結(jié)構(gòu)。這些都是電機(jī)技術(shù)發(fā)展的課題。

          2  相應(yīng)的元器件趨勢 

          對于電機(jī)控制元器件的發(fā)展,主要有以下幾個要求。 

          1)的處理速度需要提高。隨著電機(jī)性能的提高,相應(yīng)的控制算法越來越復(fù)雜,對MCU的要求會越來越高。 

          2)功率器件性能提高。在電機(jī)損耗中,除了電機(jī)結(jié)構(gòu)本身的鐵損和銅損之外,主要的功率損耗就是等功率器件的損耗。電機(jī)的功率密度提升與功率器件的效率有著直接的關(guān)系。ROHM(羅姆半導(dǎo)體)非常注重功率器件的發(fā)展。例如在空調(diào)領(lǐng)域,ROHM在空調(diào)風(fēng)機(jī)以及壓縮機(jī)領(lǐng)域,提出了用高壓PrestoMOS替代功率 IGBT,用來控制。與傳統(tǒng)空調(diào)相比,可使空調(diào)電機(jī)工作功耗減少30%以上。當(dāng)前更是采用了新材料 MOSFET,可使空調(diào)工作功耗進(jìn)一步減低至50%左右。 

          3)隨著電機(jī)的功率密度提高,需要對元器件的耐高溫參數(shù)進(jìn)一步要求。在工業(yè)的伺服電機(jī)、車載驅(qū)動電機(jī)的應(yīng)用中,控制器和電機(jī)是分開的2個殼體。因?yàn)殡姍C(jī)工作中的高溫是半導(dǎo)體不能承受的。但隨著(碳化硅)技術(shù)的發(fā)展,在不久的將來,有望將電路的工作溫度大大提高,從而將控制電路集成到電機(jī)內(nèi)部,這對電機(jī)功率密度是有很大的幫助的。

          3  ROHM的解決方案 

          ROHM 正在積極開發(fā)適合市場需求的電機(jī)驅(qū)動。 在低壓電機(jī)領(lǐng)域,正在開發(fā)可直接輸入48 V DC的BLDC,步進(jìn)電機(jī)的控制器,以滿足未來市場的需要。 

          在功率電機(jī)方面,ROHM開發(fā)出新一代的 IGBT、SiC MOSFET、以及不斷開發(fā)更高新能的SiC MOSFET,并開發(fā)相應(yīng)的驅(qū)動芯片完善控制,正用于客 戶新型電機(jī)的開發(fā)和生產(chǎn)中。

          本文來源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2020年第03期第13頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。



          關(guān)鍵詞: 202003 電機(jī) BLDC MCU SiC IPM

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