意法半導(dǎo)體收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)

近日，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST) 宣布，已經(jīng)簽署收購法國氮化鎵（GaN）創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗將拓寬并推進(jìn)意法半導(dǎo)體的汽車、工業(yè)和消費用功率GaN的開發(fā)規(guī)劃和業(yè)務(wù)。Exagan將繼續(xù)執(zhí)行現(xiàn)有產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃，意法半導(dǎo)體將為其部署產(chǎn)品提供支持。

雙方的交易條款沒有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規(guī)批準(zhǔn)后即可完成交易?，F(xiàn)已簽署的并購協(xié)議還規(guī)定，在多數(shù)股權(quán)收購交易完成24個月后，意法半導(dǎo)體有權(quán)收購剩余的Exagan少數(shù)股權(quán)。本交易將采用可用現(xiàn)金支付。

意法半導(dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“意法半導(dǎo)體的碳化硅發(fā)展勢頭強(qiáng)勁，現(xiàn)在我們正在擴(kuò)大對另一種前景很好的復(fù)合材料--氮化鎵的投入，以促進(jìn)汽車、工業(yè)和消費市場客戶采用GaN功率產(chǎn)品。收購Exagan的多數(shù)股權(quán)是我們加強(qiáng)公司在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位以及我們的GaN長遠(yuǎn)規(guī)劃、生態(tài)系統(tǒng)和業(yè)務(wù)的又一項新舉措，是對我們目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發(fā)項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。”

氮化鎵(GaN)屬于寬帶隙(WBG)材料家族，其中包括碳化硅。GaN基器件是高頻電力電子器件行業(yè)取得的一大進(jìn)步，其能效和功率密度高于硅基晶體管， GaN基器件節(jié)能省電，縮減系統(tǒng)整體尺寸。GaN器件適合各種應(yīng)用，例如，服務(wù)器、電信和工業(yè)用功率因數(shù)校正和DC/DC轉(zhuǎn)換器；電動汽車車載充電器和車規(guī)DC-DC轉(zhuǎn)換器，以及電源適配器等個人電子應(yīng)用。

Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進(jìn)電力電子行業(yè)從硅基技術(shù)向GaN-on-silicon技術(shù)轉(zhuǎn)變，研發(fā)體積更小、能效更高的功率轉(zhuǎn)換器。Exagan的GaN功率開關(guān)是為標(biāo)準(zhǔn)200毫米晶圓設(shè)計。