GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體 簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議

近日，GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor），宣布執(zhí)行一項為期五年的協(xié)議，總價值可達(dá)5,000萬美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應(yīng)用。

GTAT總裁兼首席執(zhí)行官Greg Knight說：“我們很高興與安森美半導(dǎo)體合作，該公司是提供電力電子應(yīng)用的先進(jìn)半導(dǎo)體公認(rèn)全球領(lǐng)袖之一。我們今天的協(xié)議有助于解決SiC作為電力電子應(yīng)用首選半導(dǎo)體基板材料的陡峭增長軌跡?！?/p>

安森美半導(dǎo)體全球供應(yīng)鏈高級副總裁Brent Wilson說：“安森美半導(dǎo)體在大批量晶圓生產(chǎn)的40年經(jīng)驗結(jié)合GTAT在SiC晶體增長的專知及迅速發(fā)展，將創(chuàng)建一個強固、可擴展的供應(yīng)鏈，支持活躍的大功率寬禁帶市場。我們很高興與GTAT合作，進(jìn)一步開發(fā)SiC寬禁帶材料技術(shù)，并增強我們在這快速發(fā)展領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。”

高增長應(yīng)用如電動汽車（EV）牽引系統(tǒng)、混合動力和插電式EV、太陽能和能源存儲，以及EV充電等都需要并且依賴于高質(zhì)量、具成本競爭力的SiC材料的穩(wěn)定供應(yīng)。安森美半導(dǎo)體將使用GTAT專有的150mm SiC晶體來制造SiC晶圓，以進(jìn)一步加速成為SiC供應(yīng)鏈中的垂直集成供應(yīng)商，并維持其世界級的供應(yīng)。該協(xié)議將促進(jìn)領(lǐng)先業(yè)界的SiC的供應(yīng)，以幫助工程師解決最獨特的設(shè)計挑戰(zhàn)。