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          三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV:明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)

          作者: 時間:2020-03-25 來源:快科技 收藏

          當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的(極紫外光刻)工藝被率先用到了內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202003/411342.htm

          這家韓國巨頭今日宣布,已經(jīng)出貨100萬第一代10nm 級(D1x)DDR4 模組,并完成全球客戶評估,這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。

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          得益于技術(shù),可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟,并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。

          表示,將從第四代10nm級(D1a)或高端級14nm級DRAM開始全面導(dǎo)入EUV,明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片,預(yù)計(jì)會使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。

          不過,目前支持DDR5的PC平臺尚未亮相,LPDDR5倒是已經(jīng)逐漸鋪開。量產(chǎn)的第一代EUV DDR5 DRAM單芯片容量為16Gb(2GB),地點(diǎn)是平澤市的V2線。

          根據(jù)三星此前的預(yù)判,EUV將幫助公司至少推進(jìn)到3nm尺度。



          關(guān)鍵詞: 三星 DRAM EUV

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