三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV:明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)
當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202003/411342.htm這家韓國(guó)巨頭今日宣布,已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組,并完成全球客戶評(píng)估,這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
得益于EUV技術(shù),可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟,并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。
三星表示,將從第四代10nm級(jí)(D1a)DRAM或高端級(jí)14nm級(jí)DRAM開始全面導(dǎo)入EUV,明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片,預(yù)計(jì)會(huì)使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。
不過,目前支持DDR5的PC平臺(tái)尚未亮相,LPDDR5倒是已經(jīng)逐漸鋪開。三星量產(chǎn)的第一代EUV DDR5 DRAM單芯片容量為16Gb(2GB),地點(diǎn)是平澤市的V2線。
根據(jù)三星此前的預(yù)判,EUV將幫助公司至少推進(jìn)到3nm尺度。
評(píng)論