東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202003/411503.htmU-MOS X-H系列產(chǎn)品示意圖
新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開(kāi)始出貨。
由于采用了其最新一代的工藝制造技術(shù),與當(dāng)前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比,新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低了大約40%。通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),漏源導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進(jìn)一步的改善[2]。因此,新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低[3]功耗。
東芝正在擴(kuò)展其降耗型產(chǎn)品線,從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。
應(yīng)用:
● 開(kāi)關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)
● 電機(jī)控制設(shè)備(電機(jī)驅(qū)動(dòng)等)
特性:
● 業(yè)界最低[3]功耗(通過(guò)改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡)
● 業(yè)界最低[3]導(dǎo)通電阻:
RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
● 高額定通道溫度:Tch=175℃
主要規(guī)格:
(除非另有說(shuō)明,@Ta=25℃)
器件型號(hào) | TPH2R408QM | TPN19008QM | ||||
絕對(duì)最大 額定值 | 漏源電壓VDSS(V) | 80 | ||||
漏極電流 (DC)ID(A) | @Tc=25℃ | 120 | 34 | |||
通道溫度 Tch(℃) | 175 | |||||
電氣特性 | 漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 最大值(mΩ) | @VGS=10V | 2.43 | 19 | ||
@VGS=6V | 3.5 | 28 | ||||
典型值 | 總柵極電荷(柵源+柵漏) Qg 典型值(nC) | 87 | 16 | |||
柵極開(kāi)關(guān)電荷 Qsw(nC) | 28 | 5.5 | ||||
輸出電荷 Qoss(nC) | 90 | 16.5 | ||||
輸入電容 Ciss(pF) | 5870 | 1020 | ||||
封裝 | 名稱 | Advance | SOP | TSON | ||
尺寸典型值(mm) | 5.0×6.0 | 3.3×3.3 |
評(píng)論