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          TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開售 支持高密度電源轉換設計

          作者: 時間:2020-04-15 來源:汽車電子應用 收藏

          近日,專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商電子 (Mouser Electronics) 開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能,可讓設計人員在電源轉換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率,適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202004/412023.htm

          電子備貨的 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢,包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節(jié)點振鈴,以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。此器件的集成式柵極驅動器支持100 V/ns開關,實現(xiàn)幾乎為零的VDs振鈴,其微調柵極偏置電壓可通過補償閾值變化確??煽壳袚Q。此功率級集成了一系列獨特的功能,比如圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 結構等密集高效拓撲,讓設計人員能夠優(yōu)化電源性能并提高可靠性。

          LMG341xR050 GaN功率級擁有強大的保護功能,不需要外部保護元件,即可提供過熱保護、瞬態(tài)電壓抗擾性,并且所有電源軌都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護。此外,LMG341xR050還可提供響應時間低于100 ns的過流保護和高于150 V/ns的壓擺率抗擾性。 




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