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          芯片制造商削減設備投資額,內(nèi)存價格有望繼續(xù)走高

          作者: 時間:2020-05-09 來源: 收藏

          根據(jù)市場研究公司Omdia最新的一份報告顯示,全球對DRAM生產(chǎn)設施的投資額預計將較上年同期減少13.3%,至178億美元;NAND閃存方面投資將達267億美元,降幅為5.8%。全球預計今年將削減對于生產(chǎn)設施的投資,就如2019年應對嚴重供應過剩的市場環(huán)境一般。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202005/412863.htm

          不過,Omdia也在報告中指出,2021年市場的投資額可能會回升,包括DRAM設施投資預計增長20.8%,至215億美元;NAND閃存投資增長6.2%,至283億美元。

          對此,一位業(yè)內(nèi)人士表示,“考慮到投資在下跌周期下跌,在上漲周期又回升,Omdia的預測似乎相當準確?!?nbsp;

          與此同時,市場專家稱,正通過盡可能的減少投資,尋求削減庫存,進而提振價格。

          The Elec指出,SK海力士在第一季度財報中表示,從去年開始削減資本支出方面仍保持不變; 三星電子在2020年1月宣布其2019年最后一個季度的業(yè)績時表達了類似的觀點,美光(Micron)也是如此。

          不過值得一提的是,自新冠病毒爆發(fā)后,盡管市場對智能手機需求大大下滑,但受遠程教學、在線辦公趨勢的推動,用于云基礎設施的服務器內(nèi)存需求實際上一直在增加,而這一趨勢正在推高存儲芯片的價格。

          另外,韓國KB證券在5月6日發(fā)布的一份報告中指出,截至今年第二季度,DRAM需求預計將超過供應的20%。該報告補充稱,隨著經(jīng)濟發(fā)展進入第三季度,這一趨勢可能會繼續(xù)并擴大。這意味著,內(nèi)存芯片價格有望繼續(xù)走高。




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