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          意法半導(dǎo)體推出超實(shí)惠的6引腳封裝同步整流控制器

          作者: 時(shí)間:2020-05-14 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          意法半導(dǎo)體近日推出高能效和低功耗為特色的反激式 副邊同步整流()芯片K1000A和K1000B ,該產(chǎn)品系列現(xiàn)在新增一款更劃算、封裝更小的產(chǎn)品,可用于充電器、快速充電器、適配器和USB PD端口。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202005/413104.htm

          這兩款器件采用最小延遲快速導(dǎo)通設(shè)計(jì)和創(chuàng)新的自適應(yīng)關(guān)斷技術(shù),無需增加外部組件即可最大限度延長(zhǎng)同步整流MOSFET管的導(dǎo)通時(shí)間,并最大程度降低電路中的寄生電感效應(yīng),從而使電路系統(tǒng)能效大幅改善,物料清單成本明顯降低。

          SRK1000A和SRK1000B兩款產(chǎn)品都能用于各種反激式,包括高達(dá)300kHz固定頻率的準(zhǔn)諧振(QR)和CCM/DCM混合模式反激式拓?fù)?,?jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。兩款器件都可以通過選擇電阻來設(shè)定導(dǎo)通(TON)后的消隱時(shí)間,以防止噪聲引起雜散問題。SRK1000A關(guān)斷(TOFF)后消隱時(shí)間固定在2μs,SRK1000B是3μs。

          這兩款器件均有輕載低功耗省電模式,當(dāng)同步整流不再需要時(shí),便進(jìn)入低功耗睡眠模式。 實(shí)現(xiàn)方法是檢測(cè)原邊是否進(jìn)入突發(fā)模式或同步整流MOSFET管的導(dǎo)通時(shí)間是否低于TON最小預(yù)設(shè)值??刂破鞯凸哪J届o態(tài)電流僅為160μA。

          SRK1000A和SRK1000B適用于最高19V的輸出電壓,在CCM模式下能夠?qū)⒎€(wěn)壓輸出保持至2V,支持4.5V-32V寬壓電源,漏-源極電壓額定100V。輸出灌電流高達(dá)1A,拉電流最高0.6A,用于控制外部N溝道同步整流MOSFET管的柵極。

          SRK1000A和SRK1000B均采用2.9mm x 2.8mm 6引腳SOT23-6L封裝。

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