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          可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)

          —— ReRAM 概況
          作者: 時間:2020-05-15 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          ReRAM: 可變電阻式隨機存取存儲器 

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202005/413166.htm

          ReRAM是一種非易失性存儲器,通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓,產(chǎn)生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。 

          其結(jié)構(gòu)非常簡單,兩側(cè)電極將金屬氧化物包夾于中間,這簡化了制造工藝,同時可實現(xiàn)低功耗和高速重寫等卓越性能。 

          此存儲器具備行業(yè)最低讀取電流,非常適用于可穿戴設(shè)備和助聽器。

          推薦產(chǎn)品

          ●   SPI 接口: [新品]4 Mbit ReRAM "MB85AS4MT"

          ReRAM 產(chǎn)品

          型號 

          (icon-pdf 數(shù)據(jù)表)

          存儲密度
          電源電壓
          工作頻率
          工作溫度
          讀取電流
          讀取周期
          封裝
          MB85AS4MT 
          ENG (939 KB)
          4Mbit
          1.65 至 3.6V
          5MHz
          -40℃ 至 +85℃
          0.2mA
          無限
          SOP-8

          * MB85AS4MT是一個SPI接口產(chǎn)品



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