積塔半導體上海臨港新廠投產

華大半導體旗下全資子公司上海積塔半導體有限公司（GTA Semiconductor）臨港新廠今天（6月30日）正式投產。成立于2017年的積塔半導體之“積塔”乃積沙成塔之意。2018年8月，總投資359億元在上海臨港開建積塔半導體特色工藝生產線，專注模擬電路與功率器件。

2018年10月，積塔半導體與上海先進半導體合并，使積塔半導體擁有了臨港和漕河涇兩個廠區(qū)。而借助上海先進在模擬、高壓、功率器件制造研發(fā)幾十年經驗，為積塔半導體特色工藝生產線市場競爭力的確立打下了扎實基礎。

臨港產能布局致力于工業(yè)控制和汽車電子等高端應用的特色工藝生產線：8英寸生產線6萬片/月，12英寸特色工藝生產線3,000片/月，6英寸SiC生產線5,000片/月，目標是顯著提升中國功率器件（IGBT）、模擬電路、電源管理和傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)?；a能力。計劃于2020年開始一階段8英寸特色芯片工藝生產線投產，于2023年開展二階段12英寸特色芯片工藝生產線投產。

漕河涇廠區(qū)擁有5英寸、6英寸、8英寸產線各一條，年產等值8寸晶圓約78萬片，產品主要應用在工控、汽車、電力、能源等領域。上海先進擁有近30年的模擬、高壓、功率器件制造研發(fā)經驗，涵蓋BCD、HVCMOS、BiCMOS等工藝技術。

Power IC 技術工藝平臺符合汽車電子高可靠性和安全性標準要求的BCD工藝平臺；其IGBT工藝平臺，2004年5月生產了國內第一片IGBT2-1200V合格芯片，奠定了國內生產IGBT領先地位的基礎，后續(xù)重點開發(fā)600V/1200V Trench IGBT。TVS 特色工藝技術，已形成系列低壓/超低電容/低漏電TVS特色制造工藝。MOSFET工藝技術平臺，現已形成包括平面MOSFET、Trench MOSFET和Super-Junction MOSFET等在內的多種類MOSFET工藝平臺，同時正在開發(fā)中低壓屏蔽柵結構MOSFET（SGT MOSFET）工藝平臺。SiC工藝技術平臺，1200V JBS已處于開發(fā)階段，后續(xù)650V JBS和1200V/650V Planner/Trench MOSFET在計劃中。