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          需求疲軟+中國制造入市,全球存儲芯片價格掉頭向下

          作者: 時間:2020-07-14 來源:觀察者網(wǎng) 收藏

          (文/觀察者網(wǎng) 一鳴)在長鑫存儲、長江存儲相繼取得突破,開始進入DRAM、NAND為代表的半導體市場之際,行情開始下跌。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202007/415596.htm

          據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)7月14日報道,PC 8GB 的6月大單優(yōu)惠價格為每個3.1美元左右,比上月下跌約7%。4GB產(chǎn)品也下跌約5%,降至2.2美元左右。

          圖片來源:日經(jīng)中文網(wǎng)

          這是二者時隔6個月后的再次下跌。

          用于個人電腦數(shù)據(jù)長期存儲的NAND型閃存情況也不容樂觀,TLC(三電平單元)的256GB產(chǎn)品6月大單優(yōu)惠價格為每個3.95美元左右,比上月下跌約7%。

          此前受新冠疫情的影響,半導體存儲器需求量3月起開始大增,甚至出現(xiàn)缺貨情況,原因是居家辦公擴大等帶來的家庭個人電腦和數(shù)據(jù)中心的服務器等需求的增加。這一增量甚至抵消了智能手機和數(shù)碼相機等帶來的銷量下滑。

          日經(jīng)報道稱,現(xiàn)在,由于疫情暫時平息,半導體零部件的供給隱憂也有所降溫,有品牌廠商已開始調(diào)控庫存。

          而智能手機DRAM行情持續(xù)低迷,而在此前保持堅挺的個人電腦和服務器用DRAM方面,在家辦公需求的增長也出現(xiàn)暫歇跡象。

          今年6月30日,市場研究公司DRAM eXchang發(fā)布的調(diào)研報告則顯示,主要用于個人電腦的 8GB DRAM 6月平均固定交易價格為3.31美元,與5月價格持平。

          根據(jù)該報告,反映短期市場狀況的DRAM現(xiàn)貨價格也下降了四分之一以上,僅6月就已下跌了17%以上。DRAMeXchang預計第三季度DRAM價格將繼續(xù)下降。

          世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)預測稱,2020年的市場規(guī)模將比上年增長3.3%,達到4259億美元??紤]到疫情帶來的經(jīng)濟減速,6月進行了下調(diào),但仍預測比上年增長。

          自主DRAM上市

          存儲器是半導體行業(yè)的支柱之一,全球半導體貿(mào)易協(xié)會(WSTS)數(shù)據(jù)顯示,2019年全球半導體市場規(guī)模為5000億美元,其中,存儲器市場規(guī)模1155億美元,占比高達22%。

          IC Insights數(shù)據(jù)顯示,韓國三星、海力士和美國美光科技三大廠商共占全球存儲芯片市場份額的95%。

          此前不久,美光發(fā)布了2020財年第三季度財報,該公司DRAM收入達35.9億美元,成為其該季度業(yè)績超預期的主要動能之一。

          但美光在財報中也指出,PC板塊雖然在線辦公/教育拉動筆記本電腦消費,但臺式機出貨低迷,預計全年PC DRAM整體出貨量將下降。

          而在服務器DRAM方面,美光與市場預期有所不同,認為該板塊需求有望延續(xù)上一季景氣度,同時美光表示服務器方面客戶庫存水平健康,預計下半年需求保持強勁。

          目前,中國是全球最大的DRAM芯片進口國。

          2014年中國成立集成電路產(chǎn)業(yè)基金,存儲芯片成為扶持的重點,隨后誕生了長江存儲、合肥長鑫和福建晉華等三大存儲芯片企業(yè),其中長江存儲生產(chǎn)NAND Flash存儲芯片,合肥長鑫和福建晉華生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。

          目前,國內(nèi)自主研發(fā)的DRAM芯片已經(jīng)投入市場。5月以來,多款搭載長鑫存儲DRAM芯片的內(nèi)存條上市,下游合作廠商包括江波龍、光威等。

          這些內(nèi)存條產(chǎn)品均采用長鑫存儲的內(nèi)存芯片,容量為8GB和16GB。

          長江存儲在閃存方面也有所進展。2019年9月,長江存儲正式對外宣布64層256 GB 3D NAND閃存問世,可滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

          今年4月13日,長江存儲宣布,該公司跳過96層,成功研發(fā)128層QLC3D NAND閃存(型號:X2-6070),并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。



          關鍵詞: DDR4 存儲器

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