總投資200億元，名冠微電子項目主廠房建設啟動

近日，江西贛州經開區(qū)舉行名冠微電子項目主廠房建設啟動儀式。

據贛州經開區(qū)微新聞報道，名冠微電子（贛州）有限公司由贛州經開區(qū)和名芯有限公司、電子科技大學廣東電子信息工程研究院合資設立，投資200億元，致力于成為一家開發(fā)、生產、銷售世界先進水平功率半導體產品的高科技企業(yè)。

2019年11月30日，名冠微電子（贛州）有限公司功率芯片項目正式簽約。根據此前的資料顯示，名冠微電子項目將分兩期建設，其中項目一期總投資60億元，建設一條8英寸0.09-0.11微米功率晶圓生產線，一期建成后，將實現年產100萬片功率半導體晶圓；項目二期投資約140億元，規(guī)劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生產線或12英寸硅基晶圓制造生產線。

項目涉及產品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領域全部類別中80%品種。項目建成后，將填補江西省半導體晶圓生產線空白。2020年3月10日，名冠微電子功率芯片生產項目（一期）正式開工。