貼片硅膠封裝發(fā)光二極管光強(qiáng)可靠性研究及應(yīng)用
0 引言
發(fā)光二極管作為電子產(chǎn)品中不可缺少的一個器件,光強(qiáng)的一致性與亮度是重要指標(biāo)。因此,隨著貼片器件的常規(guī)化使用,除了要求在小型化、多元化方面優(yōu)化之外,對于光強(qiáng)可靠性研究也存在重大的意義。
1 貼片發(fā)光二極管光強(qiáng)衰弱原因分析
在空調(diào)生產(chǎn)過程中,對于物料的使用壽命以及持久度是考評整個產(chǎn)品的一個維度。而對于發(fā)光二極管,在性能參數(shù)方面存在1個重要的研究——光衰。光衰是對發(fā)光器件評定的1項重要指標(biāo),在常規(guī)器件性能VF與IR合格的情況下,光衰大小成為了區(qū)分產(chǎn)品差異化的1個閃光點。
造成光衰過大的原因通常除了生產(chǎn)工藝和發(fā)光芯片本身的發(fā)光強(qiáng)度之外,在通電條件合格的情況下,更多的是器件發(fā)光的外部環(huán)境以及內(nèi)部環(huán)境的影響。
外部環(huán)境因素:高溫、低溫、外部光強(qiáng)等。
內(nèi)部環(huán)境因素:晶圓發(fā)光強(qiáng)度極限,晶圓表面污染物,晶圓內(nèi)部聚光結(jié)構(gòu),熒光粉的添加,發(fā)光角度等。
2 貼片發(fā)光二極管光衰驗證
在對A廠家某貼片發(fā)光二極管物料進(jìn)行高溫老化試驗時,實驗前光強(qiáng)符合技術(shù)圖紙要求(MIN:2.1 cd、MAX:3.0 cd),但是經(jīng)過300 h/125 ℃高溫試驗之后,光強(qiáng)大比例衰減,衰減百分比(衰減百分比公式:實驗前-實驗后/實驗前×100%)高達(dá)30%,通常為滿足售后客戶使用要求,光衰要求不超過15%,因此該異常的出現(xiàn)導(dǎo)致器件光強(qiáng)不符合企業(yè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求(圖1)。
圖1 A廠家故障件(下排)和正常品(上排)對比
2.1 A廠家物料材質(zhì)和結(jié)構(gòu)分析
A廠家該款物料為貼片結(jié)構(gòu),與常規(guī)貼片物料不同的是器件樹脂中部由透明膠狀物質(zhì)進(jìn)行封裝,四周使用的是常規(guī)環(huán)氧樹脂封裝。經(jīng)對其中部成分測試,發(fā)現(xiàn)為硅膠制品。硅膠的使用通常是因為耐高溫性和可塑性較強(qiáng),因此對于此款物料的高亮度要求比較適合。
通過在放大鏡下查看器件(如圖2),可以清楚看到器件內(nèi)部晶圓等內(nèi)部結(jié)構(gòu),器件底部焊盤為鍍銀結(jié)構(gòu),銀焊盤上有常規(guī)的晶圓與金線,同時封裝的硅膠中含有黃色熒光粉。銀焊盤的作用是為了更好地反射光,該款物料為白色光,但是常規(guī)晶圓化合物中沒有直接呈現(xiàn)白色光的元素,因此通過本體晶圓發(fā)出藍(lán)色光(晶圓化合物:InGaN),經(jīng)過底部銀焊盤反射藍(lán)光與分布的黃色熒光粉進(jìn)行中和調(diào)色,使之最終呈現(xiàn)出白光。
圖2 A廠家正常品結(jié)構(gòu)
2.1.1 A廠家物料實驗后樣品檢查
A廠家實驗后樣品進(jìn)行外觀檢查,與正常未安排實驗物料對比,物理結(jié)構(gòu)無差異,無開裂、破損、樹脂變形等異常現(xiàn)象。外觀對比情況上查看,器件內(nèi)部底部銀焊盤呈現(xiàn)發(fā)黑跡象,而非實驗前出現(xiàn)的銀色。且器件內(nèi)部封裝硅膠的熒光粉也全部消失,沉積在底部銀焊盤上(如圖3)。
2.1.2 A廠家物料實驗后光衰過大分析
A廠家物料光衰過大情況主要體現(xiàn)在以下2點。
1)器件底部起反射作用的銀焊盤表面被黑色異物覆蓋,導(dǎo)致其反射能力降低;
2)封裝硅膠內(nèi)部增強(qiáng)光強(qiáng)的黃色熒光粉出現(xiàn)沉積,導(dǎo)致熒光粉作用大大減弱。
2.2 A廠家與B廠家對比試驗
該款物料的B廠家(外部結(jié)構(gòu)、類型完全相同)同樣抽取物料進(jìn)行試驗驗證,同步將A、B兩個廠家物料放置在同一塊板上進(jìn)行驗證,在溫度、環(huán)境、與試驗時間一致的情況之下進(jìn)行試驗驗證,300 h后,測圖4 A廠家實驗后樣品底部銀焊盤異物EDX掃描試A、B廠家器件光強(qiáng),同樣呈現(xiàn)出30%左右的光衰,驗證結(jié)果排除廠家生產(chǎn)制造問題。
圖3 A廠家實驗后樣品
實驗結(jié)束后對A、B廠家物料進(jìn)行放大鏡下查看,2個廠家均出現(xiàn)光衰過大情況,因此排除廠家生產(chǎn)制造問題。
2.3 對A、B廠家失效器件分析
上訴對器件實驗后制品進(jìn)行檢測時,發(fā)現(xiàn)器件內(nèi)部起反射作用的銀焊盤表面被黑色物質(zhì)覆蓋,導(dǎo)致器件光強(qiáng)偏弱。
圖4 A廠家實驗后樣品底部銀焊盤異物EDX掃描
問題一:器件底部起反射作用的銀焊盤表面被黑色異物覆蓋
取所有失效器件銀焊盤上的黑色物質(zhì)進(jìn)行EDX成分檢測,發(fā)現(xiàn)其內(nèi)部元素含有硫元素,使得表面Ag被S元素給S化,形成黑色的Ag2S,導(dǎo)致表面反射率降低。
問題二:封裝硅膠內(nèi)部增強(qiáng)光強(qiáng)的黃色熒光粉出現(xiàn)沉積
未安排實驗的正常器件,內(nèi)部硅膠中的熒光粉存在,目的是為了增強(qiáng)光強(qiáng),但是熒光粉出現(xiàn)沉積導(dǎo)致器件光衰過大,其主要問題點在于熒光粉為何出現(xiàn)的沉積。
硅膠是一種高活性吸附材料,其耐高溫、可塑性很強(qiáng),因此用于高亮度的發(fā)光二極管中是一種首選材質(zhì)。
強(qiáng)的吸附能力也有屬于它的天敵,通過對實驗過程和實驗現(xiàn)象的核實排查,唯一造成硅膠的吸附能力失效的,就是S元素的存在。在高溫條件下,S元素的進(jìn)入密封硅膠中更加的容易,導(dǎo)致硅膠出現(xiàn)中毒現(xiàn)象,使得其吸附活性大大減弱。
對于以上2個問題的確認(rèn),可以確定S元素的存在造成了硅膠封裝發(fā)光二極管光衰過大的結(jié)果,但是還需要進(jìn)一步排查驗證。
2.3.1 S元素的排除整改
對于貼片發(fā)光二極管做高溫實驗,使用膠布將器件粘貼在相應(yīng)基板上,放入高溫箱中進(jìn)行300 h/125 ℃耐久試驗。在整個過程中,S元素的出現(xiàn)主要有以下3個方面的影響:
1)粘貼器件的膠帶中含有S元素,在高溫烘烤下?lián)]發(fā)出來進(jìn)入;
2)裝發(fā)光二極管的平板材質(zhì)中含有S元素;
3)高溫實驗箱中的其它物品和環(huán)境中含有S元素。通過對膠帶、板進(jìn)行EDX成分測試發(fā)現(xiàn)(如圖5),膠帶的測試成分中含有0.022%的S元素,由于膠帶與器件接觸,因此S元素順應(yīng)著接觸面滲入器件內(nèi)部,導(dǎo)致器件硅膠中毒且底部銀焊盤被硫化。
圖5 底部粘貼雙面膠元素定性測試
分析總結(jié):S元素的存在導(dǎo)致器件內(nèi)部相關(guān)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生質(zhì)變和失效,促使硅膠類樹脂封裝貼片二極管在后續(xù)的驗證與實驗中,需要對S元素的存在進(jìn)行相應(yīng)防范,使得器件的耐久性、耐用性以及客戶舒適性得到相應(yīng)提高。
3 改效果評估及應(yīng)用效果驗證
對于硅膠貼片發(fā)光二極管的整改對器件異常點進(jìn)行專項排除整改,①不使用膠帶對器件進(jìn)行固定;②將器件放置于不銹鋼杯中,避免接觸一切S元素;③將加熱的高溫箱內(nèi)其它器件清空,并敞開放置一定的時間,讓空氣進(jìn)行置換,再進(jìn)行加熱(如圖6)。
圖6 改善后的實驗驗證方法
實驗結(jié)果:實驗結(jié)束后測試器件前后光強(qiáng)參數(shù),其光衰率小于15%,符合相關(guān)技術(shù)圖紙要求,驗證有效。
總結(jié):依據(jù)實驗結(jié)果表明,器件實驗前后光強(qiáng)變化不大,衰減度不足10%,小于標(biāo)準(zhǔn)值15%,符合相關(guān)技術(shù)管理規(guī)定,驗證有效。
4 貼片硅膠封裝發(fā)光二極管改善意義
本文結(jié)合失效現(xiàn)象,對硅膠封裝貼片發(fā)光二極管的使用過程中的失效原因及失效機(jī)理分析,分析結(jié)果表明該種類貼片發(fā)光二極管在追求了高亮度的同時,也存在著自身的不足之處,通過一系列的實驗對比驗證,此種情況僅僅出現(xiàn)在硅膠封裝器件上,對于其它非硅膠封裝廠家編碼實驗前光強(qiáng)數(shù)據(jù)試驗后光強(qiáng)數(shù)據(jù)光衰率的環(huán)氧樹脂上,不存在此種問題。同時,該項目的成立也變相的衍生到其它硅膠樹脂封裝同步需要做好對S元素的防范。
通過對該器件的分析,使得在后續(xù)貼片器件完全替代插件類發(fā)光二極管的時候起了不可缺少的作用,從器件的源頭、使用的環(huán)境對器件性能進(jìn)行良好的保障。
參考文獻(xiàn):
[1] 李明.高亮度LED照明的安全性評價[D].杭州:浙江大學(xué),2007.
(本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2020年8月期)
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