靜電槍電路模型的建立及驗證
0 引言
ESD(靜電放電)是由于金屬和非金屬幾何結構上電荷的積累,通常是摩擦起電。這種帶電體直接或間接的相互作用是ESD放電發(fā)生的主要原因。ESD脈沖的泄放,使產品的軟硬2種失效都有可能發(fā)生。所以電子產品對ESD的監(jiān)測和防護是十分有必要的。系統(tǒng)級ESD測試的主要測試標準是國際電工委員會規(guī)定的IEC 61000-4-2[1]。為了確保電子產品在遭受ESD脈沖時和ESD脈沖過后都能夠繼續(xù)正常工作,需要實施系統(tǒng)級ESD測試。在系統(tǒng)級ESD測試過程中,我們用ESD發(fā)生器(靜電槍)來模擬ESD放電場景,但是頻繁地進行實際系統(tǒng)級防靜電測試是昂貴和耗時的過程,因此有必要尋求1種有效的方法來分析和預測設備的靜電防護能力。
作者簡介:蘆俊,男,碩士生。郵箱:junlu.xt@foxmail.com。
1 IEC61000-4-2標準
在IEC61000-4-2標準中,靜電槍電路如圖1所示,已充電的150 pF電容器通過330 Ω電阻放電,從而產生如圖2所示的電流波形,該波形中有2個峰值。 根據(jù)測試電壓,從(2~8) kV分為4個等級,每個等級相差2 kV,不同等級下對應的特性參數(shù)也不同。第1個峰值電流為3.75 kV/A,誤差不得超過15%。30 ns的電流為2 kV/A,誤差不大于30%,60 ns的電流為1 kV/A,誤差小于30%。波形的上升時間占第一峰值電流的10%至90%,通常為0.8 ns,誤差不能超過25%。然而這個誤差范圍相對較大,可能引起仿真結果的不準確?,F(xiàn)存的電路模型精確度雖然有所提高,但與標準值還是有些差距[2-3]。本文對電路模型進行優(yōu)化后,在Cadence下進行模型的搭建與仿真,其輸出波形的特征參數(shù)與標準值接近一致。
圖1 IEC61000-4-2標準下接觸放電電路簡圖
2 接觸放電電路模型
2.1 數(shù)值計算
我國學者盛松林曾提出接觸放電波形可以看做一大一小2個波組合而成,并且用數(shù)值表達式擬合出接觸放電電流波形,但他的模型是基于度量的,沒有電路特性[4]。在電路上可以用2個不同的電容放電來形成這樣的波,電路結構設計如圖3所示。圖4是靜電槍電路的s域模型,設a點電壓為Y(s),則可以列出a點的節(jié)點方程[5]:
圖3 接觸放電模型電路原理圖
圖4 s域電路模型
求出I(s),再進行拉普拉斯逆變換,最終求得時域中的電流I(t)[6]。
通過計算發(fā)現(xiàn),第1峰值的大小主要由R2、C2、L2決定,它會隨著C2的增加,R2的減小而變大;第2峰值主要由R1、C1、L1決定,它會隨著C1的增加,R1的減小而變大。R3為待測器件的阻值,一般是2 Ω。最終元件參數(shù)值如表1所示。
圖5是電壓為2 kV下的數(shù)值計算波形與實測波形的對比圖(紅色線是MATLAB下數(shù)值計算曲線,藍色線是實測曲線),可以看出兩者的吻合度是比較好的。波形的特征參數(shù)值如表2所示。
圖5 2 kV下接觸放電模型的數(shù)值計算與實測對比圖
2.2 電路仿真
為了進一步驗證模型的準確性,在Cadence環(huán)境下搭建了電路并進行了仿真,仿真結果如圖6所示??梢钥闯龈鞯燃壪虏ㄐ蔚奶卣鲄?shù)都符合IEC61000-4-2標準且具有較高的精確度。其中,第1峰值電流誤差在2.8%以內,30 ns電流值誤差在3.1%以內,60 ns電流值誤差在2.5%以內??梢?,此模型具有很好的精確性與穩(wěn)定性,很適合用于接觸放電仿真測試。
圖6 Cadence下接觸放電仿真波形圖
3 HBM電路模型
為了擴展模型的實用性,把接觸放電模型改成了HBM模型。圖7為靜電槍的HBM模型,它與接觸放電模式的不同點在于:原電路中R1的阻值由330 Ω變成1.5 kΩ,C1的電容值由150 pF變?yōu)?00 pF。2 kV下模型產生的放電電流波形如圖8所示,其中紅色線是Cadence下仿真曲線,藍色線是實測曲線,可以看出兩者的吻合度也是很好的。改進后的模型可用于靜電仿真測試中的HBM測試。
圖7 HBM模型電路原理圖
圖8 2 kV下HBM模型的仿真與實測對比圖
4 結論
本文提出了一種新的靜電發(fā)生器電路模型,該模型在Cadence中建立并驗證。優(yōu)點是:①模型產生的波形很穩(wěn)定且與實測波形的吻合度較好;②適用于2種測試模式,接觸放電測試和HBM測試。其中,接觸放電的仿真結果與IEC61000-4-2標準非常吻合。第1峰值電流誤差在2.8%以內,30 ns電流值誤差在3.1%以內,60 ns電流值誤差在2.5%以內。此外,HBM模型的仿真結果與實測波形的吻合性也很好,從而證實了新模型系統(tǒng)行為的準確性。該電路模型為靜電放電仿真提供了1個新的激勵源。
參考文獻:
[1] Electromagnetic Compatibility (EMC) Part 4-2: Testingand Measurement Techniques-Section 2: ElectrostacticDischarge (ESD) Immunity Test, TEC-EN 61000-4-2,2008.
[2] 田巍,石磊.靜電放電發(fā)生器模型的研究及應用[J].科技廣場,2011(07):82-84.
[3] MERTENS R,KUNZ H,SALMAN A,et al.A flexiblesimulation model for system level ESD stresses with application to ESD design and troubleshooting[C],Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD), 2012 34th. IEEE, 2012.
[4] 盛松林,畢增軍,田明宏,等.一個新的IEC61000-4-2標準ESD電流解析表達式[J].強激光與粒子束(5):464-466.
[5] 邱關源.電路.第5版[M].北京:高等教育出版社,2006.
[6] TANAKA H,FUJIWARA O,YAMANAKAY.A Circuit Approach to Simulate DischargeCurrent Injected in Contact with an ESDgu n [ C ],I n t e r n a t i o n a l S y m p o s i u m o nElectromagnetic Compatibility.
(本文來源于《電子產品世界》雜志2020年8月期)
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