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          日媒:去年起100多位原臺積電員工被挖角到大陸

          作者: 時間:2020-08-13 來源:網(wǎng)易科技 收藏

          8月12日,臺灣地區(qū)媒體《經(jīng)濟日報》轉(zhuǎn)引《日經(jīng)亞洲評論》報道稱,自去年起,已有100多位原臺積電工程師和經(jīng)理人員被挖角到中國大陸,從事芯片研發(fā)制造項目。對此臺積電表示,員工是臺積電最重要的資產(chǎn),公司近年的年度離職率一直在5%以下;公司將繼續(xù)致力留住人才、培育人才,提供員工具挑戰(zhàn)性且正面的工作環(huán)境與長期職涯發(fā)展。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202008/417019.htm


          日媒根據(jù)多個未具名的消息來源指出,泉芯(濟南)和武漢弘芯這兩家半導(dǎo)體廠商,雖然知名度不高,近來各自挖來50多位前臺積電員工,包括工程和主管層級人員來協(xié)助發(fā)展14nm和12nm制程。

          不過日媒表示,這樣級別的制程,大約還是落后臺積電現(xiàn)在最尖端制程兩到三代。

          據(jù)知情人士稱,弘芯挖角的薪酬待遇最好的可以是臺積電的兩倍到兩倍半。

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          日媒:去年起100多位原臺積電員工被挖角到大陸

          臺媒稱,臺積電龍?zhí)斗鉁y三廠內(nèi),有一個不能對外說的“神秘51區(qū)”,其保密滴水不漏。

          “神秘51區(qū)”主要研發(fā)做給美國公司的產(chǎn)品。而參與廠商要簽署的保密條款,不只是雙方,甚至多達(dá)五方,力求做到資訊安全、及嚴(yán)密的供應(yīng)鏈管理。

          曾進出該專區(qū)的竹科從業(yè)人員透露,參與“神秘51區(qū)”的研發(fā)計劃,采取垂直單線作業(yè),絕對不會有橫向、交叉跨域的情況發(fā)生。

          臺媒稱,臺積電對供廠商的管理也十分精準(zhǔn),若是A廠的供應(yīng)商,便只能在其機臺所在的A區(qū)位置行動,若是閑逛到不該出現(xiàn)的區(qū)域,人員無塵服上的無線射頻辨識晶片(RF ID)便會產(chǎn)生作用。

          臺積電員工禁止在廠區(qū)內(nèi)使用有拍照及記憶卡的智能手機,公司會配發(fā)功能手機替代;外來訪客也必須在接待柜臺寄存智能手機。

          若是有人不慎將智能手機帶入廠內(nèi),被金屬探測門發(fā)現(xiàn),員工將會被扣績效獎金;供廠商則是要求直接離廠,不得進入。

          為防止機密外泄,臺積電研發(fā)重鎮(zhèn)的紙張也埋有金屬線,一旦有人想私自夾帶該紙張出廠區(qū),經(jīng)過金屬探測門便會警報大作。另外,“神秘51區(qū)”的警戒,更甚于一般廠區(qū)。

          臺積電成立于1987年,是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠,客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。

          臺積電將推出4nm芯片制程工藝 計劃2022年規(guī)模量產(chǎn)

          【TechWeb】據(jù)國外媒體報道,連續(xù)5年獨家獲得蘋果A系列處理器代工訂單的臺積電,近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列,5nm工藝已在今年大規(guī)模量產(chǎn),更先進的3nm工藝也在按計劃推進,計劃明年風(fēng)險試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

          臺積電將推出4nm芯片制程工藝 計劃2022年規(guī)模量產(chǎn)

          而從臺積電新披露的消息來看,在5nm工藝和3nm工藝之間,他們還將推出4nm芯片制程工藝。

          臺積電是在官網(wǎng)所披露的二季度財報分析師電話會議材料中,提及4nm工藝的。臺積電CEO、副董事長魏哲家在會上表示,他們將推出4nm工藝,作為5nm工藝家族的延伸。

          魏哲家還透露,4nm工藝將兼容5nm工藝的設(shè)計規(guī)則,較5nm工藝更有性價比優(yōu)勢,瞄準(zhǔn)的是下一波的5nm產(chǎn)品,計劃在2022年大規(guī)模量產(chǎn)。

          但臺積電4nm制程工藝計劃大規(guī)模量產(chǎn)的2022年,3nm工藝也將大規(guī)模量產(chǎn),后者計劃量產(chǎn)的時間是2022年下半年。

          4nm工藝是5nm工藝的延伸,3nm工藝則是5nm之后臺積電全新一代的芯片制程工藝節(jié)點,晶體管密度較5nm將提升70%,運行速度提升10%到15%,能效提升25%到30%。




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