日媒：去年起100多位原臺(tái)積電員工被挖角到大陸

8月12日，臺(tái)灣地區(qū)媒體《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》轉(zhuǎn)引《日經(jīng)亞洲評(píng)論》報(bào)道稱，自去年起，已有100多位原臺(tái)積電工程師和經(jīng)理人員被挖角到中國大陸，從事芯片研發(fā)制造項(xiàng)目。對(duì)此臺(tái)積電表示，員工是臺(tái)積電最重要的資產(chǎn)，公司近年的年度離職率一直在5%以下；公司將繼續(xù)致力留住人才、培育人才，提供員工具挑戰(zhàn)性且正面的工作環(huán)境與長期職涯發(fā)展。

日媒根據(jù)多個(gè)未具名的消息來源指出，泉芯（濟(jì)南）和武漢弘芯這兩家半導(dǎo)體廠商，雖然知名度不高，近來各自挖來50多位前臺(tái)積電員工，包括工程和主管層級(jí)人員來協(xié)助發(fā)展14nm和12nm制程。

不過日媒表示，這樣級(jí)別的制程，大約還是落后臺(tái)積電現(xiàn)在最尖端制程兩到三代。

據(jù)知情人士稱，弘芯挖角的薪酬待遇最好的可以是臺(tái)積電的兩倍到兩倍半。

相關(guān)閱讀：

臺(tái)媒曝光臺(tái)積電保密措施：紙張也埋有金屬線 以防被帶出廠區(qū)

【TechWeb】7月27日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，為了防止機(jī)密商業(yè)、技術(shù)機(jī)密信息外泄，臺(tái)積電保密措施嚴(yán)格，甚至還有一個(gè)“神秘51區(qū)”。

臺(tái)媒稱，臺(tái)積電龍?zhí)斗鉁y(cè)三廠內(nèi)，有一個(gè)不能對(duì)外說的“神秘51區(qū)”，其保密滴水不漏。

“神秘51區(qū)”主要研發(fā)做給美國公司的產(chǎn)品。而參與廠商要簽署的保密條款，不只是雙方，甚至多達(dá)五方，力求做到資訊安全、及嚴(yán)密的供應(yīng)鏈管理。

曾進(jìn)出該專區(qū)的竹科從業(yè)人員透露，參與“神秘51區(qū)”的研發(fā)計(jì)劃，采取垂直單線作業(yè)，絕對(duì)不會(huì)有橫向、交叉跨域的情況發(fā)生。

臺(tái)媒稱，臺(tái)積電對(duì)供廠商的管理也十分精準(zhǔn)，若是A廠的供應(yīng)商，便只能在其機(jī)臺(tái)所在的A區(qū)位置行動(dòng)，若是閑逛到不該出現(xiàn)的區(qū)域，人員無塵服上的無線射頻辨識(shí)晶片（RF ID）便會(huì)產(chǎn)生作用。

臺(tái)積電員工禁止在廠區(qū)內(nèi)使用有拍照及記憶卡的智能手機(jī)，公司會(huì)配發(fā)功能手機(jī)替代；外來訪客也必須在接待柜臺(tái)寄存智能手機(jī)。

若是有人不慎將智能手機(jī)帶入廠內(nèi)，被金屬探測(cè)門發(fā)現(xiàn)，員工將會(huì)被扣績效獎(jiǎng)金；供廠商則是要求直接離廠，不得進(jìn)入。

為防止機(jī)密外泄，臺(tái)積電研發(fā)重鎮(zhèn)的紙張也埋有金屬線，一旦有人想私自夾帶該紙張出廠區(qū)，經(jīng)過金屬探測(cè)門便會(huì)警報(bào)大作。另外，“神秘51區(qū)”的警戒，更甚于一般廠區(qū)。

臺(tái)積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠，客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺(tái)灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。

臺(tái)積電將推出4nm芯片制程工藝 計(jì)劃2022年規(guī)模量產(chǎn)

【TechWeb】據(jù)國外媒體報(bào)道，連續(xù)5年獨(dú)家獲得蘋果A系列處理器代工訂單的臺(tái)積電，近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列，5nm工藝已在今年大規(guī)模量產(chǎn)，更先進(jìn)的3nm工藝也在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

而從臺(tái)積電新披露的消息來看，在5nm工藝和3nm工藝之間，他們還將推出4nm芯片制程工藝。

臺(tái)積電是在官網(wǎng)所披露的二季度財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議材料中，提及4nm工藝的。臺(tái)積電CEO、副董事長魏哲家在會(huì)上表示，他們將推出4nm工藝，作為5nm工藝家族的延伸。

魏哲家還透露，4nm工藝將兼容5nm工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則，較5nm工藝更有性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，瞄準(zhǔn)的是下一波的5nm產(chǎn)品，計(jì)劃在2022年大規(guī)模量產(chǎn)。

但臺(tái)積電4nm制程工藝計(jì)劃大規(guī)模量產(chǎn)的2022年，3nm工藝也將大規(guī)模量產(chǎn)，后者計(jì)劃量產(chǎn)的時(shí)間是2022年下半年。

4nm工藝是5nm工藝的延伸，3nm工藝則是5nm之后臺(tái)積電全新一代的芯片制程工藝節(jié)點(diǎn)，晶體管密度較5nm將提升70%，運(yùn)行速度提升10%到15%，能效提升25%到30%。