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          電源設(shè)計(jì),進(jìn)無止境

          —— ?推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢
          作者:德州儀器 時(shí)間:2020-08-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏


          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202008/417433.htm

          電源管理的前沿趨勢

          我們矢志不渝地致力于突破電源限制:開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù),從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號(hào)完整性,還是維持在高電壓下的安全性,我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI):與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴 。

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          1   功率密度:提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率,從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能

          2   低 IQ在不影響系統(tǒng)性能的同時(shí),降低靜態(tài)電流以延長電池壽命和貨架壽命

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          3   低 最大限度地減少干擾,以降低系統(tǒng)成本并快速滿足 標(biāo)準(zhǔn)

          低噪聲和高精度:增強(qiáng)功率和信號(hào)完整性,以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)

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          5   隔離:通過高壓隔離柵傳輸信號(hào)和/或電力,以提高較高工作電壓下的安全性和可靠性

          功率密度

          在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率,從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能

          隨著人們對(duì)電源的要求越來越多,電路板面積和厚度日益成為限制因素。電源設(shè)計(jì)人員必須向其應(yīng)用中集成更多的電路,才能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化,并提高效率和增強(qiáng)熱性能。使用 TI 的先進(jìn)工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù),現(xiàn)能以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功率等級(jí)。

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          器件產(chǎn)熱更少

          ? 業(yè)內(nèi)先進(jìn)的電源處理節(jié)點(diǎn)電壓小于 100V

          ? 600V 氮化鎵 () 器件可提供出色的開關(guān)性能比較效率提升對(duì)溫升影響的熱圖像。

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          比較效率提升對(duì)溫升影響的熱圖像。

          散熱型封裝

          ? HotRod? 封裝

          ? 支持散熱墊的增強(qiáng)型 HotRod 封裝

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          HotRodTM 封裝不僅省去了 接合線,還能保持出色的熱性能。

          拓?fù)浜碗娐分С指〉臒o源組件

          ? 多級(jí)轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/p>

          ? 先進(jìn)的功率級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)器支持更小磁性元件的多級(jí)拓?fù)洹?/p>

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          支持更小磁性元件的多級(jí)拓?fù)洹?/em>

          通過集成,可最大限度地減小寄生效應(yīng)并減少系統(tǒng)占用空間

          ? MicroSiP 3D 模塊集成

          ? 具有低環(huán)路電感的 和驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊()

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          MicroSiP 封裝支持 3D 集成。

          功率密度的關(guān)鍵產(chǎn)品分類:電池充電器IC,降壓-升壓和反相穩(wěn)壓器,氮化鎵()IC,隔離偏置電源,隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,LED驅(qū)動(dòng)器,線性穩(wěn)壓器(LDO),多通道 IC(PMIC),離線和隔離DC / DC控制器 與轉(zhuǎn)換器,電源開關(guān),降壓型穩(wěn)壓器,升壓型穩(wěn)壓器,USB Type-C和USB Power Delivery IC

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          GaN + 柵極驅(qū)動(dòng)器 可減小寄生效應(yīng),并提高功率密度 。

          低靜態(tài)電流 (IQ)

          在不影響系統(tǒng)性能的同時(shí),延長電池壽命和存儲(chǔ)時(shí)間

          在電池供電的系統(tǒng)中,為了在空載或輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)高效率,需要電源解決方案在保持超低供 電電流的同時(shí),對(duì)輸出進(jìn)行嚴(yán)格調(diào)節(jié)。借助 TI 的超低 IQ 技術(shù)和產(chǎn)品組合,您可在下一個(gè)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)低功耗,并最大限度地延長電池運(yùn)行時(shí)間。

          低待機(jī)功耗

          ●   使用超低泄漏元件和新型控制拓?fù)洌娱L電池運(yùn)行時(shí)間

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          快速喚醒和低待機(jī)功耗。

          快速響應(yīng)時(shí)間

          ●   通過快速喚醒電路和自適應(yīng)偏置增強(qiáng)系統(tǒng)功能,以提高動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間,同時(shí)保持超低的靜態(tài)功耗

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          與同類產(chǎn)品相比,TI 產(chǎn)品具有超低的 IQ 和出色的瞬態(tài)響應(yīng)。

          需要低 IQ 特性的主要產(chǎn)品類別:電池充電器 IC、降壓/升壓和反相穩(wěn)壓器、線性穩(wěn)壓器 (LDO)、電源開關(guān)、串聯(lián)電壓基準(zhǔn)、并聯(lián)電壓基準(zhǔn)、降壓穩(wěn)壓器、升壓穩(wěn)壓器、監(jiān)控器和復(fù)位 IC

          S外形小巧

          ●   借助 TI 的專利電路技術(shù),可實(shí)現(xiàn)支持應(yīng)用的裸片和封裝尺寸,且不會(huì)影響靜態(tài)功耗

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          不影響 IQ 的超小型封裝。


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          關(guān)鍵詞: QFN EMI GaN MCM

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