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          減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET
          
						
          
				作者：
				時間：2020-08-26
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202008/417589.htm
          RUT099. ROHM SiC MOSFET_1.jpg
          通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)用尤其具有吸引力。特別是隨著先進AI和IoT的發(fā)展，對于云服務(wù)的需求不斷增長，數(shù)據(jù)中心面臨著在降低功耗的同時還要提高容量和性能的挑戰(zhàn)。
          配套評測板(P02SCT3040KR-EVK-001)帶有針對驅(qū)動SiC器件而優(yōu)化的柵極驅(qū)動器IC (BM6101FV-C)。多個電源IC和分立組件有利于應(yīng)用評測和開發(fā)。由于兼容兩種封裝類型(TO-247-4L和TO-247N)，可在相同的條件下進行評測。這個評測板可用于升壓電路、2級逆變器和同步整流降壓電路中的雙脈沖測試和組件評測。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            MOSFET
                        碳化硅
                        UPS
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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