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          EEPW首頁(yè) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > “新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí),全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

          “新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí),全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

          作者: 時(shí)間:2020-09-02 來源: 收藏

          隨著物聯(lián)網(wǎng),大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展,對(duì)器件的需求日益增長(zhǎng),對(duì)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。以為代表的第三代開始逐漸受到市場(chǎng)的重視,國(guó)際上已形成完整的覆蓋材料,器件,模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開始,正在逐漸進(jìn)入第三代時(shí)代。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202009/417851.htm

           

          ,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì),是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。已在智能電網(wǎng),軌道交通,新能源,開關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應(yīng)用,展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的發(fā)展前景。

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          國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體企業(yè)如天科合達(dá),山東天岳,瀚天天成,東莞天域以及中國(guó)電科55所,中車時(shí)代,楊杰科技等也在碳化硅半導(dǎo)體材料及器件制造方面持續(xù)的取得了一些進(jìn)展,全國(guó)范圍也陸續(xù)有相關(guān)的項(xiàng)目落地,前景可期。

           

          然而目前,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的痛點(diǎn)還是在產(chǎn)業(yè)上游晶圓供應(yīng)不足,SiC材料成本偏高,設(shè)備主要依賴進(jìn)口,前期投入大等問題,這使得SiC器件目前的市場(chǎng)滲透率還是較低。碳化硅行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)安森美半導(dǎo)體表示:SiC晶圓生產(chǎn)工藝的改良是降低SiC功率器件成本的根本方法。

           

          第五屆國(guó)際碳材料大會(huì)---碳化硅半導(dǎo)體論壇將針對(duì)新時(shí)代下碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)如何創(chuàng)新突破,晶圓制造工藝設(shè)備、產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì),功率器件的設(shè)計(jì)與優(yōu)化等方向,邀請(qǐng)來自高校,企業(yè),研究機(jī)構(gòu)的專家學(xué)者做相關(guān)報(bào)告,干貨滿滿,為碳化硅產(chǎn)業(yè)提供優(yōu)質(zhì)的解決方案,解析碳化硅器件應(yīng)用方向及發(fā)展趨勢(shì),促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

           

          還有產(chǎn)業(yè)博覽會(huì),項(xiàng)目路演,海報(bào)展示,圓桌討論等同期活動(dòng),全方面實(shí)現(xiàn)碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)學(xué)研結(jié)合,為產(chǎn)業(yè)鏈上下游反饋提供平臺(tái)。

           

          時(shí)間:2020.11.17—11.20

          地點(diǎn):上??鐕?guó)采購(gòu)會(huì)展中心

          主辦單位:DT新材料

          協(xié)辦單位:中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟

          承辦單位: 寧波德泰中研信息科技有限公司

          話題:1. 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新變局新形勢(shì)

                    2. SiC半導(dǎo)體材料、器件市場(chǎng)

                    3. 4寸、6寸 SiC晶圓國(guó)產(chǎn)化及更大尺寸襯底制備技術(shù)

                    4. SiC單晶加工設(shè)備的研究和發(fā)展現(xiàn)狀

                    5. SiC PVT長(zhǎng)晶技術(shù)&HTCVD法的現(xiàn)狀和發(fā)展

                    6. SiC外延片生長(zhǎng)、生產(chǎn)方法

                    7. 外延材料加工設(shè)備的自主研發(fā)進(jìn)程

                    8. 先進(jìn)制造技術(shù)的研究進(jìn)展,eg: 光刻,薄膜沉積,離子注入等

                    9. SiC MOSFET器件技術(shù)方面的最新研究進(jìn)展

                    10. 碳化硅功率器件設(shè)計(jì)及集成技術(shù)

                    11. 5G+碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用方向及趨勢(shì)

                    12. 碳化硅在新能源汽車/太陽(yáng)能光伏/軌道交通等領(lǐng)域應(yīng)用技術(shù)路線和發(fā)展前景




          關(guān)鍵詞: 碳化硅 半導(dǎo)體

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