專為強(qiáng)化諧振拓?fù)溥\(yùn)作性能打造，英飛凌推出全新 650 V CoolMOS? CFD7

在工業(yè)應(yīng)用 SMPS 的設(shè)計(jì)上，最新的技術(shù)趨勢(shì)會(huì)將高效率、高功率密度及總線電壓上升的需求作整體考慮，也因此觸發(fā)了對(duì) 650V擊穿電壓功率器件的需求。英飛凌科技股份有限公司旗下 650 V CoolMOS? CFD7 產(chǎn)品系列即可滿足上述需求。此器件適用于軟切換應(yīng)用的諧振拓?fù)?，例如通信電源、服?wù)器、太陽(yáng)能和非車載的電動(dòng)車充電。

新款 650 V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。新款 650 V 產(chǎn)品可搭配 LLC 和零電壓切換相移全橋拓?fù)?，較前幾代產(chǎn)品能提供多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。本產(chǎn)品系列擊穿電壓提升 50 V，搭配整合高速本體二極管技術(shù)及更出色的切換效能，非常適合用于當(dāng)代設(shè)計(jì)。極低的反向恢復(fù)電荷加上優(yōu)異的熱性能，也添加了更多優(yōu)勢(shì)。

開(kāi)關(guān)損耗與 RDS(on) 過(guò)熱相依性皆大幅降低，此產(chǎn)品系列具備非常優(yōu)異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷 (Qg) 改善，加上快速的開(kāi)關(guān)性能，650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個(gè)負(fù)載范圍的效率。在主要的SMPS應(yīng)用中，相較于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿載效率也有所提升。此外，同級(jí)最低 RDS(on) 也能讓客戶能以極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，提升 SMPS 的功率密度。

由于閘極電荷 (Qg) 改善，加上快速的開(kāi)關(guān)性能，650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個(gè)負(fù)載范圍的效率。在主要的SMPS應(yīng)用中，相較于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿載效率也有所提升。此外，同級(jí)最低 RDS(on) 也能讓客戶能以極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，提升 SMPS 的功率密度。

供貨情況

TO-220、TO-247 及 TO-247 4 引腳封裝的 650 V CoolMOS CFD7 現(xiàn)已接受訂購(gòu)。