Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級，RDS(ON)和FOM達到業(yè)界出色水平，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT，可用來提高白色家電以及工業(yè)、醫(yī)療和通信應用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR 3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET，導通電阻和導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達到業(yè)界出色水平。

SiZ240DT中的兩個TrenchFET MOSFET內(nèi)部采用半橋配置連接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制開關(guān)，10 V時最大導通電阻為8.05 mΩ，4.5 V時為12.25 mΩ。通道2 MOSFET，通常用作同步開關(guān)，10 V時導通電阻為8.41 mΩ，4.5 V時為13.30 mΩ。這些值比緊隨其后的競品低16 %。結(jié)合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）低柵極電荷，導通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14 %，有助于提高快速開關(guān)應用的效率。

日前發(fā)布的雙MOSFET比采用6 mm x 5 mm封裝的雙器件小65 %，是目前市場上體積最小的集成產(chǎn)品之一。除用于同步降壓，DC/DC轉(zhuǎn)換半橋功率級之外，新型器件還為設計師提供節(jié)省空間的解決方案，適用于真空吸塵器、無人機、電動工具、家庭/辦公自動化和非植入式醫(yī)療設備的電機控制，以及電信設備和服務器的無線充電器和開關(guān)電源。

集成式MOSFET采用無導線內(nèi)部結(jié)構(gòu)，最大限度降低寄生電感實現(xiàn)高頻開關(guān)，從而減小磁器件和最終設計的尺寸。其優(yōu)化的Q_gd / Q_gs比降低噪聲，進一步增強器件的開關(guān)特性。SiZ240DT經(jīng)過100 % Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

新型雙MOSFET現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為12周。