eGaNFET實(shí)現(xiàn)98%效率、250 W/48 V的DC/DC解決方案， 用于超薄且有高密度的計(jì)算應(yīng)用

宜普電源轉(zhuǎn)換公司 （EPC）宣布推出用于48 V DC/DC轉(zhuǎn)換的 EPC9148 和 EPC9153 演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模塊，采用簡(jiǎn)單且低成本的同步降壓配置，峰值效率高達(dá)98.2％，元件的最大厚度為6.5 毫米。EPC9148使用多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，元件的最大厚度小于4 毫米，峰值效率為98％。

該兩款演示板集成了Microchip公司的 dsPIC33CK 數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）和EPC公司最新一代 100 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ，具有超薄外形尺寸，在12.5 A時(shí)，實(shí)現(xiàn)超過(guò) 98％的效率。由于Microchip數(shù)字控制器具有高靈活性，因此允許在44 V~60 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸入電壓，而輸出電壓在5 V~20 V范圍內(nèi)。

EPC9148 多電平轉(zhuǎn)換器縮小了支持磁性元件的模塊尺寸，同時(shí)在緊湊的解決方案中，實(shí)現(xiàn)高效率。 EPC9148 演示板的亮點(diǎn)之一是采用Würth Elektronik的超薄功率電感器，從而實(shí)現(xiàn)具有超高功率密度的設(shè)計(jì)。

EPC9153 演示板提供簡(jiǎn)單且低成本的同步降壓配置，從而使元件可以實(shí)現(xiàn)纖薄的最大厚度、98.2％的峰值效率和在20 V輸出時(shí)，上升溫度少于40°C。eGaN FET憑借其快速的開(kāi)關(guān)性能，提高整體效率，而它的芯片級(jí)占位面積使其易于散熱，從而實(shí)現(xiàn)緊湊型設(shè)計(jì)所需的低上升溫度。

EPC公司應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij說(shuō)：“計(jì)算機(jī)、顯示器、智能電話和其它消費(fèi)電子系統(tǒng)變得越來(lái)越纖薄，功能卻越來(lái)越強(qiáng)大。我們很高興與Microchip Technology和Würth Elektronik合作，開(kāi)發(fā)超薄且高效的解決方案，以應(yīng)對(duì)在有限的空間和體積內(nèi)取得更高的功率的挑戰(zhàn)?！?/span>

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路，其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流- 直流轉(zhuǎn)換器 、  無(wú)線電源傳送 、  包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、 功率逆變器 、 激光雷達(dá)（LiDAR）  及 D類音頻放大器 等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本。