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          UAES與羅姆成立“SiC技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”并舉行啟動(dòng)儀式

          作者: 時(shí)間:2020-12-08 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          中國(guó)汽車(chē)行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES”)與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM Co., Ltd.,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”)在中國(guó)上海的UAES總部成立了“SiC技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”,并于2020年10月舉行了啟動(dòng)儀式。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202012/420957.htm

           與IGBT*1等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件具有“開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗*2小”、“耐溫度變化能力強(qiáng)”等優(yōu)勢(shì),因而作為一種能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體,在電動(dòng)汽車(chē)以及基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源、工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。

          UAES和羅姆自2015年開(kāi)始技術(shù)交流以來(lái),雙方在采用SiC功率元器件的車(chē)載應(yīng)用產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面建立了合作伙伴關(guān)系。經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)交流,采用了羅姆SiC功率元器件的UAES車(chē)載產(chǎn)品于今年成功投入量產(chǎn)。

          此次成立的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室配備了重要設(shè)備,包括能夠?qū)?chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等車(chē)載應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)行整機(jī)評(píng)估的測(cè)試設(shè)備、以及能夠進(jìn)行元器件評(píng)估的測(cè)試裝置等。

          未來(lái),雙方將會(huì)進(jìn)一步加強(qiáng)合作關(guān)系,并加快以SiC為核心的創(chuàng)新型電源解決方案的開(kāi)發(fā)。

          UAES副總經(jīng)理 郭曉潞表示:“自2015年羅姆為UAES推介SiC功率元器件產(chǎn)品以來(lái),雙方包括高層在內(nèi)的交流不斷加深。作為多年技術(shù)交流的成果,UAES開(kāi)發(fā)出采用了SiC的車(chē)載應(yīng)用并在今年成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),對(duì)此我們表示非常高興。該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立,表明兩家公司之間的合作關(guān)系進(jìn)一步加深,我們期待通過(guò)完善的設(shè)備,得到更出色的技術(shù)支持。”

          羅姆董事高級(jí)執(zhí)行官CSO兼功率元器件業(yè)務(wù)統(tǒng)括 伊野和英博士表示:“我們很高興能夠與車(chē)載應(yīng)用領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)——UAES成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。作為SiC功率元器件的先進(jìn)廠(chǎng)商,羅姆正在推進(jìn)行業(yè)先進(jìn)的元器件開(kāi)發(fā),同時(shí),通過(guò)與驅(qū)動(dòng)IC等外圍元器件相結(jié)合的電源解決方案,獲得了傲人的實(shí)際應(yīng)用業(yè)績(jī)。未來(lái),在市場(chǎng)有望繼續(xù)擴(kuò)大的車(chē)載領(lǐng)域,把握客戶(hù)需求和市場(chǎng)動(dòng)向的研究將是非常重要的要素,因此,雙方將通過(guò)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室加強(qiáng)合作關(guān)系,并憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車(chē)技術(shù)革新做出貢獻(xiàn)?!?/p>

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          UAES副總經(jīng)理 郭曉潞(右)與羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司 董事長(zhǎng) 藤村 雷太(左)在啟動(dòng)儀式上互贈(zèng)紀(jì)念品

          <術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

          *1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)

          同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性的功率晶體管。

          *2) 傳導(dǎo)損耗、開(kāi)關(guān)損耗

          因元器件結(jié)構(gòu)的緣故,MOSFET和IGBT等晶體管在使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗。傳導(dǎo)損耗是電流流過(guò)元器件時(shí)(ON狀態(tài)時(shí)),受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開(kāi)關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(shí)(開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí))產(chǎn)生的損耗。



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