Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的 可靠重復(fù)雪崩性能

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認(rèn)證的新重復(fù)雪崩專(zhuān)用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用。該技術(shù)已通過(guò)十億個(gè)雪崩周期測(cè)試，可用于汽車(chē)感性負(fù)載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達(dá)4倍）外，該技術(shù)還能通過(guò)減少BOM數(shù)量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。 

在汽車(chē)動(dòng)力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動(dòng)鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。第四個(gè)選擇是重復(fù)雪崩設(shè)計(jì)，利用MOSFET的重復(fù)雪崩能力來(lái)泄放在其關(guān)斷期間來(lái)自感性負(fù)載電流的能量。這種設(shè)計(jì)與主動(dòng)鉗位方案的效率相當(dāng)，能夠消除對(duì)于二極管和其他器件的需求，從而最大程度地減少器件數(shù)量并降低電路復(fù)雜性。此外，這種設(shè)計(jì)還能支持更快的關(guān)斷時(shí)間，進(jìn)而提高電磁閥和繼電器等機(jī)電器件的可靠性。通常來(lái)講，這種設(shè)計(jì)只能使用基于陳舊平面技術(shù)的器件。Nexperia汽車(chē)重復(fù)雪崩ASFET產(chǎn)品系列專(zhuān)為解決此問(wèn)題而開(kāi)發(fā)，能夠提供經(jīng)過(guò)十億個(gè)周期測(cè)試的可靠重復(fù)雪崩功能。  此外，與升壓拓?fù)湎啾?，這一產(chǎn)品系列可以減少多達(dá)15個(gè)板載器件，將器件管腳尺寸效率提高多達(dá)30%，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

新的MOSFET在175°C時(shí)完全符合AEC-Q101汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)，提供40 V和60 V選項(xiàng)，典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。所有器件均采用公司節(jié)省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾片封裝技術(shù)。該封裝堅(jiān)固可靠，配備鷗翼引腳，實(shí)現(xiàn)出色的板級(jí)可靠性，并兼容自動(dòng)光學(xué)檢查(AOI)，提供出色的可制造性。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Richard Ogden解釋說(shuō)：“通常，希望實(shí)現(xiàn)重復(fù)雪崩拓?fù)涞墓こ處煵坏貌灰蕾?lài)基于陳舊平面半導(dǎo)體技術(shù)的器件。通過(guò)在更高性能硅結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，提供具有可靠重復(fù)雪崩功能的汽車(chē)級(jí)器件，就能增加利用其功能優(yōu)勢(shì)而設(shè)計(jì)的動(dòng)力總成數(shù)量?！?

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Nexperia于2020年初推出了專(zhuān)用FET (ASFET)系列，旨在滿(mǎn)足業(yè)界對(duì)于最大化性能的需求。ASFET的MOSFET參數(shù)針對(duì)特定應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。通過(guò)專(zhuān)注于特定的應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)顯著的改進(jìn)。其他ASFET系列適用于熱插拔、以太網(wǎng)供電(PoE)、電池保護(hù)和電機(jī)控制應(yīng)用。