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          意法半導(dǎo)體MasterGaN系列新增優(yōu)化的非對稱拓?fù)洚a(chǎn)品
          
						
          
				作者：
				時間：2021-01-18
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體推出了 MasterGaN2 ，作為新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202101/422180.htm
          兩個650V常關(guān)型GaN晶體管的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))分別是150mΩ和225mΩ，每個晶體管都集成一個優(yōu)化的柵極驅(qū)動器，使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。集成了先進(jìn)的驅(qū)動功能和GaN本身固有性能優(yōu)勢，MasterGaN2可進(jìn)一步提升有源鉗位反激式變換器等拓?fù)潆娐返母吣苄А⑿◇w積和輕量化優(yōu)勢。
          1610955175941557.jpg
          MasterGaN電力系統(tǒng)級封裝(SiP)系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和配套的高壓柵極驅(qū)動器，并內(nèi)置了所有的必備的保護(hù)功能。設(shè)計人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設(shè)備直連MasterGaN器件。輸入兼容3.3V-15V邏輯信號，有助于簡化電路設(shè)計和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡化產(chǎn)品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。
          GaN技術(shù)正在推進(jìn)USB-PD適配器和智能手機(jī)充電器向快充方向發(fā)展。意法半導(dǎo)體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80％，減重70％，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。
          內(nèi)置保護(hù)功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動器互鎖、專用關(guān)閉引腳和過熱保護(hù)。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應(yīng)用優(yōu)化的封裝，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。
          MasterGaN2 現(xiàn)已量產(chǎn)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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