英飛凌推出全新 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管，進(jìn)一步提高效率

英飛凌科技股份公司 （FSE：IFX/OTCQX：IFNNY） 推出 650 V 關(guān)斷電壓的 CoolSiC? Hybrid IGBT 單管。新款 CoolSiC? Hybrid IGBT 結(jié)合了 650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT及CoolSiC?肖特基勢(shì)壘二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具有出色的開(kāi)關(guān)頻率和更低的開(kāi)關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 和功率因數(shù)校正 （PFC）。其常見(jiàn)應(yīng)用包括：電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)、光伏逆變器、不間斷電源 （UPS），以及服務(wù)器和電信開(kāi)關(guān)電源 （SMPS）。

由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。與標(biāo)準(zhǔn)的Si二極管解決方案相比，新產(chǎn)品可降低多達(dá)60%的Eon和30%的Eoff。也可在輸出功率保持不變下，開(kāi)關(guān)頻率提高至少 40%。較高的開(kāi)關(guān)頻率有助于減小無(wú)源器件的尺寸，進(jìn)而降低物料成本。該 Hybrid IGBT 可直接替代 TRENCHSTOP? 5 IGBT，無(wú)需重新設(shè)計(jì)，便能使每10 kHz開(kāi)關(guān)頻率提升 0.1% 的效率。

此產(chǎn)品系列可作為全Si解決方案和高效能 SiC MOSFET 設(shè)計(jì)之間的銜接，與全Si設(shè)計(jì)相比，Hybrid IGBT可提升電磁兼容性和系統(tǒng)可靠性。由于SiC肖特基勢(shì)壘二極管的單極性特性，使二極管能快速開(kāi)關(guān)，而不會(huì)有嚴(yán)重的振蕩和寄生導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。此系列提供 TO-247-3或 TO-247-4 引腳的 Kelvin Emitter 封裝供客戶(hù)選擇。Kelvin Emitter 封裝的第四引腳可實(shí)現(xiàn)超低電感的柵極發(fā)射極控制回路，并降低總開(kāi)關(guān)損耗。

供貨情況

CoolSiC? Hybrid IGBT 單管延續(xù)之前采用 IGBT 與 CoolSiC?肖特基勢(shì)壘二極管的 CoolSiC? Hybrid IGBT EasyPACK? 1B 和 2B 模塊的成功經(jīng)驗(yàn)。此單管產(chǎn)品組合即日起接受訂購(gòu)。產(chǎn)品組合包含反并聯(lián)半電流CoolSiC?第 6 代SiC二極管的 40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP? 5 超高速 H5 IGBT，或反并聯(lián)全電流 CoolSiC?第 6 代SiC二極管的快速 S5 IGBT。