X-FAB增強其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車用嵌入式閃存產(chǎn)品

全球公認的卓越的模擬/混合信號與光電半導體解決方案晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，已為其XP018高壓（HV）車用產(chǎn)品工藝推出全新閃存功能。這款新的閃存IP利用X-FAB得到廣泛驗證的氮化硅氧化物（SONOS）技術(shù)——該技術(shù)具備更高的性能水平和一流的可靠性，完全符合嚴格的AEC100-Grade 0汽車規(guī)范，可承受在-40°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作，并完全支持ISO 26262規(guī)定的功能安全級別。其陣列大小為32KB，采用8K×39位配置，帶有32位數(shù)據(jù)總線；另外7位專用于錯誤代碼校正（ECC），以確保零缺陷的現(xiàn)場可靠性。

X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲器（NVM）IP測試接口也已包括在內(nèi)，以達成對存儲器的完全串行接駁。

該款汽車級閃存IP能夠運行于單個1.8V電源，非常適用于低功耗設計。新增的內(nèi)置自檢（BIST）模塊對于實現(xiàn)有效的存儲器測試以及全面的產(chǎn)品調(diào)試至關(guān)重要。如需要，X-FAB還可以為客戶帶來完整的NVM測試服務。

“這一全新IP解決方案進一步豐富了X-FAB針對180nm開放技術(shù)平臺的嵌入式閃存產(chǎn)品組合；該平臺具有多種電壓與晶圓材料可供選擇，擴大了我們向市場提供的產(chǎn)品陣容，使我們能夠滿足客戶在更多應用中的需求。”X-FAB公司NVM開發(fā)總監(jiān)Thomas Ramsch表示，“在低功耗和需要適應挑戰(zhàn)性環(huán)境的情況下，它將具有特殊的價值?！?/p>

“在現(xiàn)有X-FAB平臺上增加的全新嵌入式閃存功能，將實現(xiàn)更小的面積占比，從而為我們的客戶帶來更明顯的收益。此外，XP018的模塊化方法意味著其僅需要更少的掩膜層。這兩個因素都將有助于推動晶片成本的顯著優(yōu)化?！盭-FAB公司NVM解決方案技術(shù)營銷經(jīng)理Nando Basile補充道，“全新閃存IP意味著XP018現(xiàn)在能夠以高度經(jīng)濟高效的方式應對需要額外邏輯內(nèi)容和計算資源的混合信號及高壓等應用。這將特別適用于電池供電的設備，如便攜式或自主智能傳感器；并在醫(yī)療保健、工業(yè)、消費和物聯(lián)網(wǎng)領域發(fā)揮巨大潛力。”

縮略語：

BIST   內(nèi)置自檢

ECC   錯誤代碼校正

HV   高壓

IP   知識產(chǎn)權(quán)

NVM   非易失性存儲器

SONOS   氮化硅氧化物