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	 > 電源與新能源 > 新品快遞 > Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行
          
						
          —— 功率GaN解決方案可以減少器件數(shù)量、縮小外形尺寸并降低系統(tǒng)成本
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2021-04-27
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          基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。 
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202104/424919.htm
          全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝，對(duì)于給定RDS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩(wěn)定性和效率。級(jí)聯(lián)配置無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路，加快了產(chǎn)品上市速度。該器件在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)電路中均具有出色的性能，為設(shè)計(jì)人員提供極大的靈活性。Nexperia GaN戰(zhàn)略市場(chǎng)總監(jiān)Dilder Chowdhury解釋說(shuō)：“鈦金級(jí)是80 PLUS?規(guī)格中最嚴(yán)苛的，滿(mǎn)載條件下要求達(dá)到>91%的效率（半載條件下>96%）。對(duì)于2 kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用，使用傳統(tǒng)硅器件來(lái)實(shí)現(xiàn)這種性能水平，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡(jiǎn)潔的無(wú)橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。”Nexperia GAN041-650WSB GaN FET現(xiàn)已大量供貨。 

          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            Nexperia
                        MOSFET
                        GaN
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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