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          ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

          —— 有助于大幅削減工廠的安裝成本,并為工業(yè)設(shè)備提供更小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案
          作者: 時間:2021-06-17 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備,開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC *1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202106/426387.htm

          近年來,隨著節(jié)能意識的提高,在交流400V級工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面,在工業(yè)設(shè)備中,除了主電源電路之外,還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源,但出于設(shè)計周期的考量,它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-和損耗較大的,所以在節(jié)能方面存在很大課題。

          ROHM針對這些挑戰(zhàn),于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC 的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC,在行業(yè)中處于先進(jìn)地位。

          此次,新產(chǎn)品內(nèi)置節(jié)能性能非常出色的SiC MOSFET和專為工業(yè)設(shè)備輔助電源*3優(yōu)化的控制電路,并采用小型表貼封裝(TO263),有助于使節(jié)能型AC/DC轉(zhuǎn)換器的開發(fā)變得更容易。新產(chǎn)品可以利用設(shè)備自動貼裝在電路板上,這在以往是不可能實現(xiàn)的;而且當(dāng)用于交流400V、輸出48W以下的輔助電源時,與采用普通產(chǎn)品的配置相比,部件數(shù)量顯著減少(將散熱板和12個部件縮減為1個)。這不僅可以降低部件故障的風(fēng)險,還通過SiC MOSFET將功率轉(zhuǎn)換效率提高多達(dá)5%。因此,不僅有助于大幅削減工廠的安裝成本,還可以提供更加小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案。

          這款新產(chǎn)品已于2021年5月開始出售樣品(樣品價格 1,500日元/個,不含稅),計劃于2021年10月起暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外,新產(chǎn)品及其評估板“BM2SC123FP2-EVK-001”已經(jīng)開始通過電商銷售,從Ameya360、Oneyac等電商平臺均可購買。

          未來,ROHM將繼續(xù)開發(fā)SiC等先進(jìn)的功率半導(dǎo)體*4和先進(jìn)的模擬控制IC的同時,不斷優(yōu)化這些產(chǎn)品并提供更好的解決方案,為工業(yè)設(shè)備的節(jié)能和系統(tǒng)優(yōu)化貢獻(xiàn)力量。

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          <新產(chǎn)品特點(diǎn)>

          “BM2SC12xFP2-LBZ”將1700V耐壓SiC MOSFET和專為工業(yè)設(shè)備的輔助電源而優(yōu)化的SiC MOSFET驅(qū)動用柵極驅(qū)動電路等集成于一枚封裝中。通過實現(xiàn)以下特點(diǎn),使節(jié)能型AC/DC轉(zhuǎn)換器的開發(fā)更容易,不僅可以顯著降低工廠的安裝成本,還可為工業(yè)設(shè)備提供更小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案。

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          1.可支持高達(dá)48W輸出功率的表貼封裝產(chǎn)品,有助于大大削減工廠的安裝成本

          新產(chǎn)品采用專為內(nèi)置SiC MOSFET而開發(fā)的表貼封裝“TO263-7L”。盡管體積小巧,但仍可充分確保處理大功率時的封裝安全性(爬電距離),而且作為無散熱器的表貼封裝產(chǎn)品,可支持高達(dá)48W(24V、2A等)的輸出功率??衫米詣釉O(shè)備將本產(chǎn)品貼裝在電路板上,這是以往在該范圍的產(chǎn)品無法實現(xiàn)的。加上可削減元器件數(shù)量的優(yōu)勢,將有助于大大降低工廠的安裝成本。

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          2.將散熱板和多達(dá)12個部件縮減為1個,在小型化方面具有壓倒性優(yōu)勢

          新產(chǎn)品采用一體化封裝,相比采用Si-MOSFET的普通分立產(chǎn)品配置,部件數(shù)量顯著減少,1個封裝內(nèi)包含多達(dá)12個部件(AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極管×3、電阻器×6)和散熱板。另外,由于SiC MOSFET具有高耐壓、抗噪性能優(yōu)異的特點(diǎn),還可實現(xiàn)降噪部件的小型化。

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          3.減少開發(fā)周期和風(fēng)險,內(nèi)置保護(hù)功能,可靠性顯著提高

          新產(chǎn)品采用一體化封裝,可減少鉗位電路和驅(qū)動電路的部件選型及可靠性評估的工時,可降低部件故障風(fēng)險,可縮減引進(jìn)SiC MOSFET時的開發(fā)周期,一舉多得。另外,除了通過內(nèi)置SiC MOSFET,實現(xiàn)了高精度過熱保護(hù)(Thermal Shutdown),此外還配備了過負(fù)載保護(hù)(FB OLP)、電源電壓引腳的過電壓保護(hù)(VCC OVP)、過電流保護(hù)、二次側(cè)電壓的過電壓保護(hù)等進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動的工業(yè)設(shè)備電源所需的豐富保護(hù)功能,實現(xiàn)了更高可靠性。

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          4.激發(fā)出SiC MOSFET的性能,節(jié)能效果顯著

          新產(chǎn)品中搭載的SiC MOSFET驅(qū)動用柵極驅(qū)動電路,通過更大限度地激發(fā)出SiC MOSFET的實力,與采用Si-MOSFET的普通配置相比,功率轉(zhuǎn)換效率提升高達(dá)5%(截至2021年6月ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))。另外,本產(chǎn)品的控制電路采用準(zhǔn)諧振方式,與普通的PWM方式相比,運(yùn)行噪聲低、效率高,可充分地降低對工業(yè)設(shè)備的噪聲影響。

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          <內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC產(chǎn)品陣容>

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          <應(yīng)用示例>

          非常適用于

          ◇   通用逆變器

          ◇   AC伺服

          ◇   PLC(Programmable Logic Controller)

          ◇   制造裝置

          ◇   機(jī)器人

          ◇   商用空調(diào)

          ◇   工業(yè)用照明(路燈等)

          等交流400V規(guī)格的各種工業(yè)設(shè)備的輔助電源電路。

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          <電商銷售信息>

          起售時間: 2021年5月下旬起

          電商平臺:Ameya360、Oneyac

          銷售產(chǎn)品:

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          <術(shù)語解說>

          *1) SiC(Silicon Carbide,碳化硅)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

          SiC是Si(硅)和C(碳)的化合物。用作半導(dǎo)體材料時,因有望實現(xiàn)超越Si半導(dǎo)體極限的特性而備受矚目。MOSFET是晶體管的一種(結(jié)構(gòu)),屬于最基本的半導(dǎo)體元器件。是可通過從外部施加電壓來控制元器件的ON/OFF或電流流動的開關(guān)設(shè)備。

          *2) AC/DC轉(zhuǎn)換器

          電源的一種,將交流(AC)電壓轉(zhuǎn)換為直流(DC)電壓。一般插座中是交流電,而電子設(shè)備是直流電工作,因此,是連接插座的電子設(shè)備必須的元器件。

          *3) 輔助電源

          在大功率工業(yè)設(shè)備中,包括使電機(jī)等(主機(jī))運(yùn)行的主電源電路,也包括為控制IC及LED指示燈亮等(輔助)提供電源電壓的輔助電源電路,將這種電源電路稱為“輔助電源”。

          *4) 功率半導(dǎo)體

          用來根據(jù)用途轉(zhuǎn)換電壓和電流的半導(dǎo)體,其性能直接關(guān)系到系統(tǒng)和設(shè)備的功率效率。要求支持高耐壓、大電流。



          關(guān)鍵詞: MOSFET IGBT

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