Nexperia新8英寸晶圓線啟動(dòng),生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
—— 新生產(chǎn)線提高了產(chǎn)能,力求滿足及時(shí)供應(yīng)
Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出:“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下,Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產(chǎn)能,包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設(shè)備,這對(duì)買方來講一個(gè)好消息。新型MOSFET的性能也令設(shè)計(jì)人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開關(guān)應(yīng)用,也可以替代其他供應(yīng)商的產(chǎn)品?!?/p>本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202106/426550.htm
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on),前一代100 V器件為7 m?,而新器件只有4.3 m?,效率大大提高。對(duì)于100 V器件,NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Qrr,有效降低了尖峰值和EMI干擾??傮w而言,100 V器件的Qrr品質(zhì)因數(shù)平均比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類產(chǎn)品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開關(guān)應(yīng)用,包括AC/DC、DC/DC和電機(jī)控制等。
評(píng)論