Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。

Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電子系統(tǒng)的尺寸和重量因變壓器而變得臃腫，只有通過提高開關頻率才能減小尺寸。

新推出的碳化硅系列產品使工程師能夠舍棄IGBT，轉而使用零件數(shù)量更少、效率更高、控制方案更簡單的兩級拓撲結構。在沒有開關限制的情況下，功率轉換單元的尺寸和重量可以大大減少，從而騰出空間來建立更多充電站，提供更多空間搭載付費乘客和貨物，或者延長重型車輛、電動巴士和其他電池驅動商業(yè)車輛的續(xù)航能力和運行時間，所有這些都可以降低整體系統(tǒng)成本。

Microchip分立產品業(yè)務部副總裁Leon Gross表示：“交通運輸領域的系統(tǒng)開發(fā)人員不斷被要求在無法變大的車輛中容納更多的人和貨物。幫助實現(xiàn)這一目標的最佳方式之一，是通過利用高壓碳化硅功率器件，大幅降低電源轉換設備的尺寸和重量。在交通運輸行業(yè)的應用也可為許多其他行業(yè)應用帶來類似的好處?！?/p>

新產品特點包括柵極氧化物穩(wěn)定性，Microchip在重復非鉗位感應開關（R-UIS）測試中觀察到，即使延長到10萬個脈沖之后，閾值電壓也沒有發(fā)生漂移。R-UIS測試還顯示了出色的雪崩耐固性和參數(shù)穩(wěn)定性，以及柵極氧化物的穩(wěn)定性，實現(xiàn)了在系統(tǒng)使用壽命內的可靠運行?？雇嘶w二極管利用碳化硅MOSFET可以消除對外部二極管的需要。與IGBT相當?shù)亩搪纺褪苣芰山浭苡泻Φ碾娝沧?。在結溫0至175攝氏度范圍內，相比對溫度更敏感的碳化硅MOSFET，較平坦的RDS（on）曲線使電力系統(tǒng)能夠更穩(wěn)定地運行。

Microchip通過AgileSwitch^?數(shù)字可編程門驅動器系列和各種分立和功率模塊，以標準和可定制的形式簡化了技術的采用。這些柵極驅動器有助于加快碳化硅從實驗到生產的開發(fā)速度。

Microchip的其他碳化硅產品包括700V和1200V的MOSFET和肖特基勢壘二極管系列，提供裸片和各種分立和功率模塊封裝。Microchip將內部碳化硅裸片生產與低電感功率封裝和數(shù)字可編程門驅動器相結合，使設計人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產品。

Microchip整體系統(tǒng)解決方案還包括單片機（MCU）、模擬和MCU外設以及通信、無線和安全技術產品。

開發(fā)工具

與Microchip的MPLAB^? Mindi?模擬仿真器兼容的碳化硅SPICE仿真模型為系統(tǒng)開發(fā)人員提供了在投入硬件設計之前模擬開關特性的資源。智能配置工具（ICT）使設計人員能夠為Microchip的AgileSwitch?系列數(shù)字可編程柵極驅動器的高效碳化硅柵極驅動器建模。

供貨

Microchip的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊現(xiàn)可訂購，有多種封裝選項可供選擇。