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          英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊,助力提升功率密度和實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2021-08-06 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置, EasyDUAL 1B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為11 mΩ,EasyDUAL 2B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為6 mΩ。升級(jí)為高性能AIN后,該1200 V器件適合用于高功率密度應(yīng)用,包括太陽(yáng)能系統(tǒng)、不間斷電源、輔助逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電樁等。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202108/427430.htm

          EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高,結(jié)到散熱器的熱阻(R thJH)最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中,該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結(jié)溫,進(jìn)而可以延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命。

          供貨情況

          EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現(xiàn)在即可訂購(gòu)。



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