EPC擴大了 40 V eGaNFET的產(chǎn)品陳容，新產(chǎn)品是高功率密度電信、網(wǎng)通和計算解決方案的理想器件

EPC 推出了 40 V、1.6 m?的氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （eGaN^? FET），器件型號為EPC2069，專為設(shè)計人員而設(shè)，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推的EPC2069（典型值為 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低壓器件，可立即供貨。

EPC2069 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用，包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm² 的微小占位面積內(nèi)，實現(xiàn)高功率密度。EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解決方案，范圍從 500 W 到 2 kW，效率超過98%。在初級側(cè)和次級側(cè)使用氮化鎵（eGaN）器件可實現(xiàn)超過4000 W/in³ 的最大功率密度。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 表示：“EPC2069器件專為從40 V–60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)而設(shè)計，目前非常普遍用于48 V–54 V輸入的服務(wù)器，以應(yīng)對人工智能和游戲等高密度計算應(yīng)用所需。與上一代40 V GaN FET相比，這款40 V器件的尺寸更小、寄生電感更小和成本更低，從而讓設(shè)計師實現(xiàn)更高的性能和成本效益”。

EPC90139開發(fā)板的最大器件電壓為40 V 、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅(qū)動器的半橋器件，采用了EPC2069 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。電路板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計，包含所有關(guān)鍵組件，讓工程師易于評估EPC2069。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強型氮化鎵（eGaN^?）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。eGaN^? 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標(biāo)。