Rambus更新HBM3內(nèi)存：單顆1TB帶寬不是夢

在各類存儲系統(tǒng)中，位于CPU內(nèi)部的SRAM系統(tǒng)性能最強(qiáng)，讀寫速度最快。在外置存儲中，最快自然是DRAM產(chǎn)品，目前帶寬最高的HBM2e內(nèi)存的引腳速率達(dá)到3.2Gbps。美國內(nèi)存IP廠商Rambus在8月底宣布推出HBM3內(nèi)存接口子系統(tǒng)，引腳速率提升至8.4Gbps，可為人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)?(AI/ML)?和高性能計算(HPC)?等應(yīng)用提供TB級帶寬，是當(dāng)前速率最快的HBM產(chǎn)品。?

??Rambus預(yù)計，HBM3內(nèi)存會在2022年末或2023年初流片，實際應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心?、AI、HPC等領(lǐng)域。國內(nèi)的一流AI芯片廠商都和Rambus接觸，預(yù)計行業(yè)將會快速升級到HBM3標(biāo)準(zhǔn)。Rambus大中華區(qū)總經(jīng)理蘇雷?、Rambus?IP核產(chǎn)品營銷高級總監(jiān)Frank?Ferro就Rambus?HBM3的具體性能以及Rambus對客戶的支持等進(jìn)行了深入交流。?

??隨著越來越多的公司進(jìn)入人工智能市場，對內(nèi)存帶寬提出更多要求，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和深度學(xué)習(xí)等AI應(yīng)用也在不斷推動內(nèi)存帶寬增長。Rambus的HBM3內(nèi)存子系統(tǒng)提高原有性能標(biāo)準(zhǔn)，包含完全集成的PHY和數(shù)字控制器，可以支持當(dāng)下很多AI及HPC應(yīng)用。?

??從HBM3高達(dá)8.4Gbps/pin的數(shù)據(jù)傳輸速率可以得到，HBM3的單腳帶寬達(dá)1075.2GB/s(1.05TB/s)。Rambus的HBM3支持標(biāo)準(zhǔn)的64位16通道，支持2、4、8、12和16?HBM3?DRAM堆棧，信道密度達(dá)32Gb。由于HBM3具有較高的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬，可以被廣泛應(yīng)用于AI、?機(jī)器學(xué)習(xí)、HPC等應(yīng)用。HBM3采用2.5D架構(gòu)，可通過堆疊的方式集成4條DRAM內(nèi)存條，下方是SoC和中介層，最下面的綠色部分則是封裝。

??作為對比，2016年HBM2的帶寬為256GB/s，I/O數(shù)據(jù)速率為2Gbps;HBM2e的帶寬達(dá)到460GB/s，?數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)3.6Gbps。SK海力士公布的HBM3帶寬和傳輸速率分別為665GB/s和5.2Gbps;Rambus的HBM3性能又進(jìn)一步提升，分別達(dá)1075GB/s和8.4Gbps。?

??對客戶來說?，Rambus會提供SI/PI專家技術(shù)支持，確保設(shè)備和系統(tǒng)具有最優(yōu)的信號和電源完整性。作為IP授權(quán)的一部分?，Rambus也將提供2.5D封裝和中介層參考設(shè)計。雖然Rambus的HBM3性能比SK海力士更快，但Rambus會為客戶的SK海力士提供支持。

??Rambus的HBM2/2E?PHY(?端口物理層)支持臺積電、三星等多個先進(jìn)制程節(jié)點。其產(chǎn)品集成PHY、IO、Decap等，其客戶可以直接采用，Rambus的芯片開發(fā)基本一次就能成功，無需返工，提升設(shè)計效率。?

??Rambus目前擁有3000余項專利和應(yīng)用，主要的客戶有三星、美光?、SK海力士等內(nèi)存廠商和高通、AMD、英特爾等芯片廠商?。Rambus與SK海力士、三星等DRAM供應(yīng)商關(guān)系緊密，芯片經(jīng)過市場供應(yīng)商的DRAM驗證，能夠為客戶提供便捷地服務(wù)。?

??從市場來說，人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)越來越多地應(yīng)用于各個領(lǐng)域。預(yù)計到2025年，用于人工智能領(lǐng)域的將達(dá)到100億美元，全球數(shù)據(jù)使用量將達(dá)175ZB，年均復(fù)合增長率35%，服務(wù)器整體年增長率為8%。?

??與傳統(tǒng)的GDDR顯存相比，HBM擁有高帶寬的特性，是數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用內(nèi)存和數(shù)據(jù)處理瓶頸的解決方案之一。Rambus推出HBM3的IP，將再次推動HBM產(chǎn)品性能的提升，推動人工智能、高性能計算等應(yīng)用發(fā)展。

??編輯點評：英特爾計劃在第三代酷睿中加入HBM內(nèi)存的支持，意味著HBM內(nèi)存不再局限于顯卡，也將沖擊傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存的生存空間，開展更快存儲的競爭。