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          英飛凌為USB-C充電器統(tǒng)一化提供高度集成方案

          作者: 時(shí)間:2021-11-03 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          以負(fù)責(zé)任的方式使用能源,是能源效率領(lǐng)域創(chuàng)新的基本要素,同時(shí)也將助力打造一個(gè)更環(huán)保的地球。全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份有限公司在滿足未來(lái)需求的半導(dǎo)體技術(shù)和解決方案方面持續(xù)投資和創(chuàng)新,以打造環(huán)境友好的應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)高效能以及設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202111/429333.htm

          EZ-PD? BCR (筒形連接器替代品) 是高度集成的 USB-C 控制器, 外加一個(gè)USB-C 連接器,就可取代電子設(shè)備中的筒形連接器、自定義連接器或舊式 USB 連接器。該EZ-PD BCR 解決方案支持 USB Power Delivery (PD) 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)需開(kāi)發(fā)固件即兼容所有 USB-C 充電器。

          歐盟近期發(fā)布的無(wú)線電設(shè)備指令 (RED) 修訂版建議,將統(tǒng)一大部分電子設(shè)備的充電端口,以減少淘汰或不兼容的充電器所產(chǎn)生的電子垃圾。該提案呼吁以 USB-C 作為通用充電端口,讓使用者不必考慮其設(shè)備品牌,可統(tǒng)一使用 USB-C 充電器為其設(shè)備充電。采用這一通用充電標(biāo)準(zhǔn)以統(tǒng)一快充技術(shù),且避免了為某個(gè)設(shè)備充電時(shí)由于使用非同一品牌充電器而帶來(lái)的不合理的充電速度限制。

          該通用充電器提案還建議將充電器與電子設(shè)備的銷售分離,消費(fèi)者可購(gòu)買不包含充電器的電子設(shè)備。這將大幅減少非必要的充電器購(gòu)買及閑置的充電器數(shù)量,最終減少電子垃圾的產(chǎn)生。

          英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼首席營(yíng)銷官Adam White表示:“英飛凌致力于為客戶提供解決方案,協(xié)助他們?cè)谛芊矫鎻氖袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出,同時(shí)為更環(huán)保的未來(lái)貢獻(xiàn)力量。我們?cè)?USB-C 充電領(lǐng)域的端對(duì)端解決方案可提供最佳性能及最高級(jí)別的系統(tǒng)可靠性,也同時(shí)滿足了當(dāng)代生態(tài)的要求:它高效節(jié)能,且旨在減少電子垃圾。每年人們淘汰的充電器產(chǎn)生了約1.1萬(wàn)噸*電子垃圾。這種情況必須改變,英飛凌已準(zhǔn)備好支持這項(xiàng)變革。我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包括業(yè)界領(lǐng)先分立式和集成式硅以及新一代氮化鎵產(chǎn)品,可滿足我們客戶任何可能的設(shè)計(jì)需求?!?/p>

          在受電端采用具備 EZ-PD BCR 的USB-C充電端口,能夠?yàn)橄M(fèi)者和制造商帶來(lái)諸多益處。消費(fèi)者在選擇充電器時(shí)不會(huì)受到接頭類型或產(chǎn)品制造商的限制,由此可為消費(fèi)者帶來(lái)更高的便利性。制造商也可因?qū)⒍喾N充電器整合為標(biāo)準(zhǔn)USB-C充電器而受益。EZ-PD BCR大幅降低 USB-C 受電端電源系統(tǒng)的物料成本(BOM),并通過(guò) USB-IF 認(rèn)證確保 USB-C 規(guī)范的合規(guī)性和互操作性。

          在充電器中的供電端方面,最新的 CoolGaN? IPS 600 V 設(shè)備運(yùn)用市場(chǎng)上最可靠的 GaN 和驅(qū)動(dòng)器技術(shù),集合了高效率、可靠性與易用性。在功率相同的前提下,GaN 技術(shù)可為尺寸相同或更小的充電器提供更高的切換頻率與更高的輸出功率。集合會(huì)帶來(lái)極高的功率密度,使該設(shè)備成為快充充電器設(shè)計(jì)的首選。相較于硅設(shè)備,CoolGaN具有10倍的先進(jìn)擊穿場(chǎng)強(qiáng)和2倍的電子遷移率。CoolGaN 高頻運(yùn)作能力的關(guān)鍵在于,其輸出和柵極電荷比硅基裝置低 10 倍,以及幾乎為零的逆復(fù)原電荷。

          除了對(duì)環(huán)境帶來(lái)積極影響之外,標(biāo)準(zhǔn)化的整合以及合成制造成本的節(jié)省,都使得EZ-PD BCR 解決方案成為制造商的不二之選。



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