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          學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實驗:源極跟隨器(NMOS)

          作者:ADI公司 Doug Mercer,顧問研究員;Antoniu Miclaus,系統(tǒng)應(yīng)用工程師 時間:2021-11-08 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏


          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202111/429473.htm

          目標(biāo)

          本次實驗的目的是研究簡單的NMOS源極跟隨器,有時也稱為共漏極配置。

          材料

          ■   ADALM2000主動學(xué)習(xí)模塊

          ■   無焊面包板

          ■   跳線

          ■   一個2.2 kΩ電阻(RL)

          ■   一個小信號NMOS晶體管(M1采用增強模式CD4007或ZVN2110A)

          說明

          面包板連接如圖1和圖2所示。波形發(fā)生器W1的輸出連接至M1的柵極端子。示波器輸入1+(單端)也連接至W1輸出。漏極端子連接至正極(Vp)電源。源極端子連接至2.2 kΩ負載電阻和示波器輸入2+(單端)。負載電阻的另一端連接至負極(Vn)電源。要測量輸入-輸出誤差,可以將2+連接至M1的柵極,2–連接至源極,以顯示示波器通道2的差值。

          ADI技術(shù)文章圖1 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖1 源極跟隨器

          硬件設(shè)置

          波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為2 V,偏移為0。示波器通道2的單端輸入(2+)用于測量源極的電壓。示波器配置為連接通道1+以顯示AWG發(fā)生器輸出。在測量輸入-輸出誤差時,應(yīng)連接示波器的通道2,以顯示2+和2–之間的差值。

          ADI技術(shù)文章圖2 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖2 源極跟隨器面包板電路

          程序步驟

          配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。產(chǎn)生的波形如圖3所示。

          ADI技術(shù)文章圖3 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖3 源極跟隨器的輸入和輸出波形

          源極跟隨器的增益(VOUT/VIN)理想值為1,但總是略小于1。增益由以下公式1計算得出:

          image.png

          從公式可以看出,要獲得接近1的增益,我們可以增大RL或減小rs。也可以看出,rs是ID的函數(shù),ID增大,rs會減小。此外,從電路可以看出,ID與RL相關(guān),如果RL增大,ID會減小。在簡單的電阻負載發(fā)射極跟隨器中,這兩種效應(yīng)相互抵消。所以,要優(yōu)化跟隨器的增益,我們需要找到能在不影響另一方的情況下降低rs或增大RL的方法。需要注意的是,在MOS晶體管中,ID = Is (IG = 0)。

          image.png

          其中,K = μnCox/2,λ可以認為是與工藝技術(shù)相關(guān)的常數(shù)。

          從另一個角度來看,因為晶體管Vth本身的DC偏移,在預(yù)期的擺幅內(nèi)輸入和輸出之間的差值應(yīng)是恒定的。受簡單的電阻負載RL影響,漏電流ID會隨著輸出上下擺動而升高和降低。我們知道ID是VGS的函數(shù)(平方關(guān)系)。以+1 V至-1 V的擺幅為例,最小ID = 1 V/2.2 kΩ或0.45 mA,最大ID = 6 V/2.2 kΩ或2.7 mA。因此VGS會發(fā)生明顯變化。根據(jù)這些實驗結(jié)果,我們能從一個方面改善源極跟隨器。

          現(xiàn)在可以使用先前學(xué)子專區(qū)實驗中的電流鏡來代替源負載電阻,以使放大器晶體管的源極電流固定不變。電流鏡能在寬電壓范圍內(nèi)獲取較為恒定的電流。晶體管中這種較為恒定的電流會導(dǎo)致VGS相當(dāng)恒定。從另一個角度來看,電流鏡中極高的輸出電阻可以有效提高RL,但rs保持為電流設(shè)定的低值。

          加強源極跟隨器

          附加材料

          ■   一個3.2 kΩ電阻(將1 kΩ和2.2 kΩ電阻串聯(lián))

          ■   一個小信號NMOS晶體管(M1采用ZVN2110A)

          ■   兩個小信號NMOS晶體管(M2和M3采用CD4007)

          說明

          面包板連接如圖4和圖5所示。

          ADI技術(shù)文章圖4 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖4 加強源極跟隨器

          硬件設(shè)置

          波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為2 V,偏移為0。示波器通道2的單端輸入(2+)用于測量源極的電壓。示波器配置為連接通道1+以顯示AWG發(fā)生器輸出。在測量輸入-輸出誤差時,應(yīng)連接示波器的通道2,以顯示2+和2–之間的差值。

          ADI技術(shù)文章圖5 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖5 加強源極跟隨器面包板電路

          程序步驟

          配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。產(chǎn)生的波形如圖6所示。

          ADI技術(shù)文章圖6 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖6 加強源極跟隨器波形

          源極跟隨器輸出阻抗

          目標(biāo)

          源極跟隨器的一個重要方面是提供功率或電流增益,即從高電阻(阻抗)級驅(qū)動低電阻(阻抗)負載。因此,測量源極跟隨器的輸出阻抗具有指導(dǎo)意義。

          材料

          ■   一個4.7 kΩ電阻

          ■   一個10 kΩ電阻

          ■   一個小信號NMOS晶體管(M1采用CD4007或ZVN2110A)

          說明

          圖7和圖8中的電路配置增加了一個電阻R2,將來自AWG1的測試信號注入M1的發(fā)射極(輸出)。輸入端(M1的基極)接地。

          ADI技術(shù)文章圖7 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖7 輸出阻抗測試

          ADI技術(shù)文章圖8 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖8 輸出阻抗測試面包板電路

          硬件設(shè)置

          波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為2 V,偏移為減去M1的VGS(約為–V)。這會將±0.1 mA (1 V/10 kΩ)電流注入M1的源極。示波器輸入2+測量源極電壓的變化。

          程序步驟

          繪制在源極處測得的電壓幅度。配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。產(chǎn)生的波形如圖9所示。

          ADI技術(shù)文章圖9 - 源極跟隨器(NMOS).jpg

          圖9 輸出阻抗測試波形

          問題:

          您能簡要描述兩種提高源極跟隨器增益(接近1)的方法嗎?

          您可以在學(xué)子專區(qū)博客上找到問題答案。

          作者簡介

          Doug Mercer于1977年畢業(yè)于倫斯勒理工學(xué)院(RPI),獲電子工程學(xué)士學(xué)位。自1977年加入ADI公司以來,他直接或間接貢獻了30多款數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品,并擁有13項專利。他于1995年被任命為ADI研究員。2009年,他從全職工作轉(zhuǎn)型,并繼續(xù)以名譽研究員身份擔(dān)任ADI顧問,為“主動學(xué)習(xí)計劃”撰稿。2016年,他被任命為RPI ECSE系的駐校工程師。

          Antoniu Miclaus現(xiàn)為ADI公司的系統(tǒng)應(yīng)用工程師,從事ADI教學(xué)項目工作,同時為Circuits from the Lab?、QA自動化和流程管理開發(fā)嵌入式軟件。他于2017年2月在羅馬尼亞克盧日-納波卡加盟ADI公司。他目前是貝碧思鮑耶大學(xué)軟件工程碩士項目的理學(xué)碩士生,擁有克盧日-納波卡科技大學(xué)電子與電信工程學(xué)士學(xué)位。



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