Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管,可提供高精度基準(zhǔn)電壓
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基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%,相比B(±2%)和C(±5%)版本,可提供更高精度的基準(zhǔn)電壓。這兩個(gè)系列不僅可以滿足日漸增長的移動(dòng)便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求,也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。
“Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用,提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓,”Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer介紹,“如果向柵極-源極路徑或漏極-柵極路徑施加極限電壓,或從更多種類的合適的MOSFET中進(jìn)行選擇,用具有焊盤兼容性的A-selection齊納二極管代替B-或C-selection,工程師可以將MOSFET的性能發(fā)揮到極致?!?/span>
A-selection齊納二極管的正常工作電壓范圍為1.8V至75V(E24范圍)。這些器件的非重復(fù)反向峰值功耗≤40W,總功耗≤250mW,差分熱阻低。低容差可提供更高精度的電壓,對(duì)應(yīng)用的測試與測量尤其關(guān)鍵,可幫助工程師取代成本更高的電壓基準(zhǔn)器件。相比直接保護(hù)MOSFET,另一種替代方案更為經(jīng)濟(jì),即將漏極-柵極路徑與齊納二極管并聯(lián)。齊納二極管被擊穿后,MOSFET隨即導(dǎo)通,防止漏極-源極發(fā)生雪崩擊穿。
A-selection齊納二極管還可用于Q產(chǎn)品組合器件,符合AEC-Q101和ISO/TS16949汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)的重點(diǎn)是滿足汽車原始設(shè)備制造商的壓力測試資格,以及質(zhì)量管理體系的要求。與此同時(shí),客戶的需求不斷發(fā)展,越來越多的非汽車應(yīng)用需要額外的質(zhì)量相關(guān)服務(wù),例如生產(chǎn)零件批準(zhǔn)過程(PPAP)和更長的供貨計(jì)劃。此類標(biāo)準(zhǔn)器件和Q產(chǎn)品組合器件的另一個(gè)不同之處是產(chǎn)品變更通知(PCN)的期限,根據(jù)JEDEC的要求,期限從90天延長至180天。此外,所有部件的供貨計(jì)劃至少為10年,保質(zhì)期超過兩年。
Nexperia繼續(xù)在技術(shù)和內(nèi)部產(chǎn)能方面加大投入。A-selection齊納二極管現(xiàn)可提供樣品,并已投入大批量生產(chǎn)。
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