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	 > 新品快遞 > Diodes Incorporated 目標電動汽車產(chǎn)品應(yīng)用推出高電流 TOLL MOSFETs
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          Diodes Incorporated 目標電動汽車產(chǎn)品應(yīng)用推出高電流 TOLL MOSFETs
          
						
          
				作者：
				時間：2021-11-18
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          Diodes 公司為金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇，像是能量熱回收、積體啟動交流發(fā)電機以及電動汽車的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202111/429734.htm
          TOLL封裝采條帶鍵合封裝以達低封裝電阻及較低的寄生電感，使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能夠在 10 W閘極驅(qū)動器下產(chǎn)生 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型寄通電阻。此外，低寄生電感能改善 EMI 電路的表現(xiàn)。
          1637206415149872.jpg
          由于焊接面積比 TO263 高出百分之五十，TOLL封裝能使接面的熱阻抗達 0.65°C/W， MOSFET可處理高達 270A 的電流。鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助于自動光學檢測 (AOI) 流程。金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等級規(guī)范，由 IATF 16949  認證的設(shè)施制造，并支持 PPAP 文件。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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