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          東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

          作者: 時(shí)間:2021-11-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202111/430001.htm

          TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備,現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動(dòng)其IGBT/而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)小型化。

          image.png

          TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤[1],便于替代東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠?yàn)殡娐钒褰M件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,或用于器件高度受限的新型電路設(shè)計(jì)。

          這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達(dá)到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設(shè)計(jì)和保持溫度裕度。

          此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項(xiàng)。

          ※   應(yīng)用:

          工業(yè)設(shè)備

          -     工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動(dòng)器、光伏逆變器、UPS等。

          ※   特性:

          -     高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)

          IOP=±2.5A(TLP5702H)

          IOP=±5.0A(TLP5705H)

          -     薄型SO6L封裝

          -     高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃

          ※   主要規(guī)格:

          (除非另有說明,@Ta=-40℃至125℃)

          器件型號(hào)

          TLP5702H

          TLP5705H

          TLP5702H

          (LF4)

          TLP5705H

          (LF4)

          封裝

          名稱

          SO6L

          SO6L(LF4)

          尺寸(毫米)

          10×3.84(典型值),

          厚度:2.3(最大值)

          11.05×3.84(典型值),

          厚度:2.3(最大值)

          絕對(duì)最大額定值

          工作溫度Topr(℃)

          -40至125

          峰值輸出電流IOPH/IOPL(A)

          ±2.5

          ±5.0

          ±2.5

          ±5.0

          電氣特性

          峰值高電平輸出電流

          IOPH最大值(A)

          @IF=5mA,

          VCC=15V,

          V6-5=-7V

          -2.0

          峰值低電平輸出電流

          IOPL最小值(A)

          @IF=0mA,

          VCC=15V,

          V5-4=7V

          2.0

          峰值高電平輸出電流(L/H)

          IOLH最大值(A)

          @IF=0→10mA,

          VCC=15V,

          Cg=0.18μF,

          CVDD=10μF

          -3.5

          -3.5

          峰值低電平輸出電流(H/L)

          IOHL最小值(A)

          @IF=10→0mA,

          VCC=15V,

          Cg=0.18μF,

          CVDD=10μF

          3.0

          3.0

          電源電壓VCC(V)

          15至30

          電源電流ICCH,ICCL最大值(mA)

          3.0

          輸入電流閾值(L/H)

          IFLH最大值(mA)

          5

          開關(guān)特性

          傳播延遲時(shí)間

          tpHL,tpLH最大值(ns)

          200

          脈寬失真

          |tpHL–tpLH|最大值(ns)

          50

          傳播延遲差

          (器件到器件)

          tpsk(ns)

          -80至80

          共模瞬變抗性

          CMH,CML最小值(kV/μs)

          @Ta=25℃

          ±50

          隔離特性

          隔離電壓

          BVS最小值(Vrms)

          @Ta=25℃

          5000

          注:

          [1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)

          [2] 現(xiàn)有產(chǎn)品:采用SDIP6封裝的TLP700H



          關(guān)鍵詞: MOSFET

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