東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202111/430001.htmTLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備,現在可直接通過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數量并實現設計小型化。
TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤[1],便于替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠為電路板組件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,或用于器件高度受限的新型電路設計。
這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設計和保持溫度裕度。
此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。
※ 應用:
工業(yè)設備
- 工業(yè)逆變器、交流伺服驅動器、光伏逆變器、UPS等。
※ 特性:
- 高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)
IOP=±2.5A(TLP5702H)
IOP=±5.0A(TLP5705H)
- 薄型SO6L封裝
- 高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃
※ 主要規(guī)格:
(除非另有說明,@Ta=-40℃至125℃)
器件型號 | TLP5702H | TLP5705H | TLP5702H (LF4) | TLP5705H (LF4) | ||
封裝 | 名稱 | SO6L | SO6L(LF4) | |||
尺寸(毫米) | 10×3.84(典型值), 厚度:2.3(最大值) | 11.05×3.84(典型值), 厚度:2.3(最大值) | ||||
絕對最大額定值 | 工作溫度Topr(℃) | -40至125 | ||||
峰值輸出電流IOPH/IOPL(A) | ±2.5 | ±5.0 | ±2.5 | ±5.0 | ||
電氣特性 | 峰值高電平輸出電流 IOPH最大值(A) | @IF=5mA, VCC=15V, V6-5=-7V | -2.0 | |||
峰值低電平輸出電流 IOPL最小值(A) | @IF=0mA, VCC=15V, V5-4=7V | 2.0 | ||||
峰值高電平輸出電流(L/H) IOLH最大值(A) | @IF=0→10mA, VCC=15V, Cg=0.18μF, CVDD=10μF | - | -3.5 | - | -3.5 | |
峰值低電平輸出電流(H/L) IOHL最小值(A) | @IF=10→0mA, VCC=15V, Cg=0.18μF, CVDD=10μF | - | 3.0 | - | 3.0 | |
電源電壓VCC(V) | 15至30 | |||||
電源電流ICCH,ICCL最大值(mA) | 3.0 | |||||
輸入電流閾值(L/H) IFLH最大值(mA) | 5 | |||||
開關特性 | 傳播延遲時間 tpHL,tpLH最大值(ns) | 200 | ||||
脈寬失真 |tpHL–tpLH|最大值(ns) | 50 | |||||
傳播延遲差 (器件到器件) tpsk(ns) | -80至80 | |||||
共模瞬變抗性 CMH,CML最小值(kV/μs) | @Ta=25℃ | ±50 | ||||
隔離特性 | 隔離電壓 BVS最小值(Vrms) | @Ta=25℃ | 5000 |
注:
[1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)
[2] 現有產品:采用SDIP6封裝的TLP700H
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