東芝推出新款MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC，助力縮小設(shè)備尺寸
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出其面向20V電源線路的新款“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC中的首款產(chǎn)品---“TCK421G”。該系列器件專(zhuān)門(mén)用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸入電壓），同時(shí)具備過(guò)壓鎖定功能。新產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202202/431230.htm通過(guò)與背對(duì)背連接的外部N溝道MOSFET相配合，TCK421G適用于配置具有反向電流阻斷功能的電源多路復(fù)用器電路或負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。它內(nèi)置電荷泵電路，支持2.7V至28V的寬輸入電壓范圍，經(jīng)過(guò)間歇操作，為外部MOSFET的柵極-源極電壓提供穩(wěn)定電壓。這種方式允許大電流的切換。
TCK421G采用WCSP6G[1]封裝，是行業(yè)最小的封裝之一[2]。這便于TCK421G在可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)等小型設(shè)備上實(shí)現(xiàn)高密度貼裝，從而縮小上述設(shè)備的尺寸。
東芝將繼續(xù)開(kāi)發(fā)TCK42xG系列，并計(jì)劃推出總共六款產(chǎn)品。TCK42xG系列的過(guò)壓鎖定將支持5V至24V的輸入電壓。可提供5.6V和10V兩種類(lèi)型的柵極輸出電壓，用于外部MOSFET中不同的柵源電壓。過(guò)壓鎖定和柵極輸出電壓可以根據(jù)用戶具體設(shè)備進(jìn)行選擇。
■ 應(yīng)用：
- 可穿戴設(shè)備
- 智能手機(jī)
- 筆記本電腦、平板電腦
- 存儲(chǔ)設(shè)備等
■ 新產(chǎn)品系列特性：
- 內(nèi)置電荷泵電路，柵極-源極電壓（5.6V、10V）取決于輸入電壓
- 過(guò)壓鎖定支持5V至24V
- 低輸入關(guān)斷電流：當(dāng)VIN=5V，Ta＝-40℃至85℃時(shí)，IQ(OFF)＝0.5μA（最大值）
■ 主要規(guī)格：
（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）
器件型號(hào) | TCK421G | ||
封裝 | 名稱 | WCSP6G | |
尺寸（mm） | 1.2×0.8（典型值） 厚度＝0.35（最大值） | ||
工作范圍 | 輸入電壓VIN（V） | 當(dāng)Ta＝-40℃至85℃時(shí) | 2.7至28 |
電氣特性 | VIN UVLO閾值，Vout下降 VIN_UVLO典型值／最大值（V） | 當(dāng)Ta＝-40℃至85℃時(shí)，VIN_UVLO最大值 | 2.0／2.5 |
VIN UVLO滯后 VIN_UVhyst典型值（V） | – | 0.2 | |
VIN OVLO閾值， Vout下降 VIN_OVLO最小值／最大值（V） | 當(dāng)Ta＝-40℃至85℃時(shí) | 22.34／24.05 | |
VIN OVLO滯后 VIN_OVhyst典型值（V） | – | 0.12 | |
輸入靜態(tài)電流 （通態(tài)）[3] IQ(ON)典型值（μA） | 當(dāng)VIN＝5V時(shí) | 140 | |
當(dāng)VIN＝12V時(shí) | 185 | ||
待機(jī)電流（關(guān)斷） IQ(OFF)最大值（μA） | 當(dāng)VIN＝5V，Ta＝-40℃至85℃時(shí) | 0.5 | |
當(dāng)VIN＝12V，Ta＝-40℃至85℃時(shí) | 0.9 | ||
柵極驅(qū)動(dòng)電壓 （VGATE1-VIN） （VGATE2-VIN） VGS最小值／典型值／最大值（V） | 當(dāng)VIN＝2.7V時(shí) | 8／9.2／10 | |
當(dāng)VIN＝5V時(shí) | 9／10／11 | ||
當(dāng)VIN＝9V時(shí) | 9／10／11 | ||
當(dāng)VIN＝12V時(shí) | 9／10／11 | ||
當(dāng)VIN＝20V時(shí) | 9／10／11 | ||
VGS導(dǎo)通時(shí)間 tON典型值（ms） | 當(dāng)VIN＝5V時(shí)， CGATE1,2＝4000pF | 2.9 | |
VGS關(guān)斷時(shí)間 tOFF典型值（μs） | VIN＝5V， 當(dāng)CGATE1,2＝4000pF時(shí) | 52 | |
OVLO VGS關(guān)斷時(shí)間 tOVP典型值（μs） | 當(dāng)CGATE1,2＝4000pF時(shí) | 34 | |
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注：
[1] 1.2mm×0.8mm
[2] 在MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC中。截至2022年2月的東芝調(diào)查。
[3] 不含控制端電流（ICT）。
評(píng)論