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          碳化硅MOSFET晶體管的特征

          作者: 時(shí)間:2022-03-19 來(lái)源:羅姆R課堂 收藏

          功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò),如低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等,顯而易見(jiàn)這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202203/432169.htm

          -的特征

          -SBD的章節(jié)中也使用了類(lèi)似的圖介紹了耐壓覆蓋范圍。本圖也同樣,通過(guò)與Si功率元器件的比較,來(lái)表示SiC-的耐壓范圍。

          目前SiC-有用的范圍是耐壓600V以上、特別是1kV以上。關(guān)于優(yōu)勢(shì),現(xiàn)將1kV以上的產(chǎn)品與當(dāng)前主流的Si-IGBT來(lái)比較一下看看。相對(duì)于IGBT,SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET(超級(jí)結(jié)MOSFET),導(dǎo)通電阻較小,可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積,并顯著降低恢復(fù)損耗。

          SIC_161220_01

          下表是600V~2000V耐壓的功率元器件的特征匯總。

          SIC_161220_02

          雷達(dá)圖的RonA為單位面積的導(dǎo)通電阻(表示傳導(dǎo)時(shí)損耗的參數(shù)),BV為元器件耐壓,Err為恢復(fù)損耗,Eoff為關(guān)斷開(kāi)關(guān)的損耗。SiC已經(jīng)很完美,在目前情況的比較中絕非高估。



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