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          SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

          作者: 時(shí)間:2022-03-19 來(lái)源:羅姆R課堂 收藏

          本文將對(duì) 的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202203/432170.htm

          下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用 時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的 的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導(dǎo)通的,為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通,設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門(mén)極信號(hào)(VG)時(shí)序。

          SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)示例圖

          該電路中HS和LS MOSFET的Drain-Source電壓(VDS)和漏極電流(ID)的波形示意圖如下。這是電感L的電流處于連續(xù)動(dòng)作狀態(tài),即所謂的硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)的波形。

          硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)的波形

          橫軸表示時(shí)間,時(shí)間范圍Tk(k=1~8)的定義如下:

          ● T1: LS為ON時(shí)、MOSFET電流變化的時(shí)間段

          ● T2: LS為ON時(shí)、MOSFET電壓變化的時(shí)間段

          ● T3: LS為ON時(shí)的時(shí)間段

          ● T4: LS為OFF時(shí)、MOSFET電壓變化的時(shí)間段

          ● T5: LS為OFF時(shí)、MOSFET電流變化的時(shí)間段

          ● T4~T6: HS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時(shí)間

          ● T7: HS為ON的時(shí)間段(同步整流時(shí)間段)

          ● T8: HS為OFF時(shí)、LS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時(shí)間



          關(guān)鍵詞: SiC 碳化硅 MOSFET

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