羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

測試設(shè)備

①直流電源

由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。

②電子負載

半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。

③信號發(fā)生器

產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號，用于MOS管的驅(qū)動

④示波器

觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形

⑤萬用表

測量各測試點的電壓

⑥溫度巡檢儀

測量帶載后MOS管的溫度

測試拓撲

將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電壓源。

成果展示

由于時間匆忙，只使用DC12V母線電壓，100KHz的開關(guān)頻率進行測試。測試過程中沒有拍攝波形圖片，只是隨手記錄了一些測試結(jié)果，測試結(jié)果顯示：

1）SiC MOS管的溫升很低，150W輸出功率下，管子不需要散熱片

2）硬件死區(qū)時間設(shè)置非常好，比軟件可靠

3）各處波形更接近理想模型。

評估板試用感受

板子做的很精致，電路設(shè)計的也很用心，由于時間緊張沒有來得及與一般MOS管做對比，但是從我測試數(shù)據(jù)以及經(jīng)驗來說，SiC MOS管確實比一般MOS管性能好很多，后對高要求設(shè)計中會優(yōu)先采用SiC MOS管。