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          羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

          作者:三石成磊 時(shí)間:2022-03-19 來源:EEPW論壇 收藏

          測試設(shè)備

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202203/432172.htm

          ①直流電源

          由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。

          1622203696790570.jpg

          ②電子負(fù)載

          半橋電源電源的輸出負(fù)載,可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載,測試電源的帶載能力非常好用。

          1622203739440582.jpg

          ③信號(hào)發(fā)生器

          產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào),用于MOS管的驅(qū)動(dòng)

          1622203771449736.jpg

          ④示波器

          觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形

          1622204243487512.png

          ⑤萬用表

          測量各測試點(diǎn)的電壓

          ⑥溫度巡檢儀

          測量帶載后MOS管的溫度

          1622204264632826.png

          測試拓?fù)?/strong>

          1622204283123748.png

          將說明書中電路按照上述描述修改:兩個(gè)直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電壓源。

          成果展示

          1622204165798458.jpg

          由于時(shí)間匆忙,只使用DC12V母線電壓,100KHz的開關(guān)頻率進(jìn)行測試。測試過程中沒有拍攝波形圖片,只是隨手記錄了一些測試結(jié)果,測試結(jié)果顯示:

          1) MOS管的溫升很低,150W輸出功率下,管子不需要散熱片

          2)硬件死區(qū)時(shí)間設(shè)置非常好,比軟件可靠

          3)各處波形更接近理想模型。

          評估板試用感受

          板子做的很精致,電路設(shè)計(jì)的也很用心,由于時(shí)間緊張沒有來得及與一般MOS管做對比,但是從我測試數(shù)據(jù)以及經(jīng)驗(yàn)來說, MOS管確實(shí)比一般MOS管性能好很多,后對高要求設(shè)計(jì)中會(huì)優(yōu)先采用 MOS管。



          關(guān)鍵詞: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

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