ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。
 

EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化

一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，ROHM新產(chǎn)品透過(guò)獨(dú)創(chuàng)結(jié)構(gòu)，成功將閘極-源極間額定電壓從過(guò)去的6V提高到了8V。也就是說(shuō)，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中即使產(chǎn)生了超過(guò)6V的過(guò)沖電壓，組件也不會(huì)劣化，有助提高電源電路的設(shè)計(jì)余裕和可靠性。此外，該系列產(chǎn)品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型封裝，將使安裝工程的操作更加容易。
新產(chǎn)品于2022年3月起開(kāi)始量產(chǎn)，前段制程的制造據(jù)點(diǎn)為ROHM Hamamatsu （日本濱松市），后段制程的制造據(jù)點(diǎn)為ROHM（日本京都市）。
ROHM將有助節(jié)能和小型化的GaN組件產(chǎn)品系列命名為「EcoGaNTM」，致力大幅提高組件性能。今后，ROHM將繼續(xù)研發(fā)融合「Nano Pulse Control」等模擬電源技術(shù)的控制IC及模塊，透過(guò)可充分發(fā)揮GaN組件性能的電源解決方案，助力永續(xù)發(fā)展社會(huì)的實(shí)現(xiàn)。
名古屋大學(xué) 工學(xué)研究所 山本真義教授表示，今年日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省制定了2030年新建數(shù)據(jù)中心節(jié)能30%的目標(biāo)，目前距實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)只有不到10年的時(shí)間。然而，這些產(chǎn)品的性能不僅涉及到節(jié)能，還攸關(guān)到社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施的堅(jiān)固性和穩(wěn)定性。針對(duì)今后的社會(huì)需求，ROHM研發(fā)了新的GaN組件，不僅節(jié)能性更佳，而且閘極耐壓高達(dá)8V，可以確保堅(jiān)固性和穩(wěn)定性。從該系列產(chǎn)品開(kāi)始，ROHM將透過(guò)融合自豪的模擬電源技術(shù)「Nano Pulse Control」，不斷提高各種電源效率，在不久的將來(lái)相信會(huì)掀起一場(chǎng)巨大的技術(shù)革新浪潮，進(jìn)而在2040年的半導(dǎo)體和資通訊業(yè)界實(shí)現(xiàn)碳中和的目標(biāo)。