ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達(dá)8V,非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。
EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化
一般來說,GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關(guān)工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,ROHM新產(chǎn)品透過獨創(chuàng)結(jié)構(gòu),成功將閘極-源極間額定電壓從過去的6V提高到了8V。也就是說,在開關(guān)過程中即使產(chǎn)生了超過6V的過沖電壓,組件也不會劣化,有助提高電源電路的設(shè)計余裕和可靠性。此外,該系列產(chǎn)品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型封裝,將使安裝工程的操作更加容易。
新產(chǎn)品于2022年3月起開始量產(chǎn),前段制程的制造據(jù)點為ROHM Hamamatsu (日本濱松市),后段制程的制造據(jù)點為ROHM(日本京都市)。
ROHM將有助節(jié)能和小型化的GaN組件產(chǎn)品系列命名為「EcoGaNTM」,致力大幅提高組件性能。今后,ROHM將繼續(xù)研發(fā)融合「Nano Pulse Control」等模擬電源技術(shù)的控制IC及模塊,透過可充分發(fā)揮GaN組件性能的電源解決方案,助力永續(xù)發(fā)展社會的實現(xiàn)。
名古屋大學(xué) 工學(xué)研究所 山本真義教授表示,今年日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省制定了2030年新建數(shù)據(jù)中心節(jié)能30%的目標(biāo),目前距實現(xiàn)該目標(biāo)只有不到10年的時間。然而,這些產(chǎn)品的性能不僅涉及到節(jié)能,還攸關(guān)到社會基礎(chǔ)設(shè)施的堅固性和穩(wěn)定性。針對今后的社會需求,ROHM研發(fā)了新的GaN組件,不僅節(jié)能性更佳,而且閘極耐壓高達(dá)8V,可以確保堅固性和穩(wěn)定性。從該系列產(chǎn)品開始,ROHM將透過融合自豪的模擬電源技術(shù)「Nano Pulse Control」,不斷提高各種電源效率,在不久的將來相信會掀起一場巨大的技術(shù)革新浪潮,進而在2040年的半導(dǎo)體和資通訊業(yè)界實現(xiàn)碳中和的目標(biāo)。
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