外媒稱三星3nm工藝良品率可能仍遠(yuǎn)不及預(yù)期 僅10%-20%
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在2月份有報(bào)道稱臺(tái)積電的3nm工藝遇到良品率難題,可能影響到AMD、英偉達(dá)等部分客戶的產(chǎn)品路線圖之后,又出現(xiàn)了三星電子3nm工藝的良品率遠(yuǎn)不及預(yù)期的消息。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202204/433352.htm韓國(guó)媒體的報(bào)道顯示,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo),在提升3nm工藝的良品率方面,也陷入了掙扎。另外,三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意,僅為30%-35%。
三星電子和臺(tái)積電是目前已順利量產(chǎn)5nm工藝,并在推進(jìn)3nm工藝量產(chǎn)事宜的晶圓代工商,與臺(tái)積電繼續(xù)采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)不同,三星電子3nm工藝采用的是全環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術(shù) —— GAA可以實(shí)現(xiàn)四邊充當(dāng)電流通道,而FinFET則只有三邊。
在全球晶圓代工市場(chǎng)份額連續(xù)多年遠(yuǎn)不及臺(tái)積電的三星電子,對(duì)他們的3nm制程工藝寄予厚望。在去年6月份就曾有報(bào)道稱,三星電子的3nm工藝已成功流片,距離量產(chǎn)又更近了一步,計(jì)劃在今年6月份開(kāi)始量產(chǎn)。
不過(guò),三星電子3nm工藝的良品率遠(yuǎn)不及預(yù)期,還只是外媒的報(bào)道,并不是三星方面公布的消息。但如果三星電子3nm工藝的良品率,真如外媒報(bào)道的那樣遠(yuǎn)低于目標(biāo),可能也會(huì)影響到最終的交付量,進(jìn)而影響相關(guān)廠商的產(chǎn)品路線圖。
值得注意的是,在今年2月份曾有報(bào)道稱,三星重要客戶高通明年將推出的3nm工藝應(yīng)用處理器,將交由臺(tái)積電代工,同時(shí)由于4nm工藝的良品率低,高通也已將部分驍龍8 Gen 1交由臺(tái)積電代工,不再由三星電子獨(dú)家代工。
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