力科發(fā)布更精確的寬禁帶半導(dǎo)體分析測量系統(tǒng)
力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件,與高精度示波器 (HDO) 結(jié)合使用時,可提供最準確的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體器件的電氣特性表征。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202204/433393.htm三十多年來,工程師們一直在使用硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 功率半導(dǎo)體器件來生產(chǎn)電源和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。然而,消費者需要體積更小、重量更輕的電源和系統(tǒng),而政府要求更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料,例如GaN 和 SiC,開關(guān)速度比 Si 快十倍以上,并且在提高效率的同時減小了尺寸和重量。工程師采用寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)計系統(tǒng)時,需要更大的測量帶寬,以對半導(dǎo)體器件進行更準確和詳細的分析。
力科新型DL-ISO高壓光隔離探頭為設(shè)計工程師提供了最可靠的 GaN 和SiC 功率半導(dǎo)體器件測量。新探頭配合力科業(yè)界領(lǐng)先的12 位分辨率HDO示波器具有最佳的信號保真度、最低的過沖和最佳的準確度1.5%,幾乎是競爭對手的兩倍。
1 GHz 帶寬滿足測量 GaN 器件1 ns 上升時間的要求。 HDO示波器還在12 位分辨率下提供高達20 GS/s 的采樣率,以捕獲和顯示最真實的高速 GaN 和 SiC 器件信號。這種最佳信號保真度、低過沖、高精度、高帶寬和高采樣率的組合對于在新設(shè)計中成功實施 GaN 和SiC 技術(shù)至關(guān)重要。
力科新的功率器件軟件包自動執(zhí)行JEDEC開關(guān)損耗和其他測量,以顏色編碼突出顯示相關(guān)的測量區(qū)域,進一步簡化了 GaN 和SiC 器件的分析。
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