英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增強(qiáng)特性進(jìn)一步提高系統(tǒng)能效
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項(xiàng)全新的CoolSiC?技術(shù),即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝,具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統(tǒng),如光伏逆變器。同時(shí),這款芯片也是電動(dòng)汽車快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202205/433905.htmCoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時(shí),隨著柵極運(yùn)行窗口的擴(kuò)大,柵極能很好地耐受與驅(qū)動(dòng)器和布局相關(guān)的電壓峰值,即使在更高開關(guān)頻率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技術(shù),還可通過采用不同封裝使不同型號(hào)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度,為設(shè)計(jì)工程師提供更多選擇,助力其提升應(yīng)用性能。
Easy模塊可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度
M1H將被集成到備受青睞的Easy系列中,以進(jìn)一步優(yōu)化Easy 1B和2B模塊。此外,英飛凌還將推出一款新產(chǎn)品,利用全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET技術(shù)和增強(qiáng)Easy 3B模塊。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性,適用于廣泛的工業(yè)產(chǎn)品組合。采用M1H芯片,可顯著降低模塊的導(dǎo)通電阻,讓設(shè)備更加可靠和高效。
CoolSiCTM MOSFET 1200V Easy 3B
此外,M1H芯片的最高結(jié)溫為175°C,具備更出色的過載能力,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,同時(shí)擴(kuò)展了系統(tǒng)安全工作區(qū)。與其前身M1芯片相比,M1H芯片實(shí)現(xiàn)了更低的內(nèi)部柵極電阻(RG),這有利于輕松優(yōu)化開關(guān)特性。M1H芯片保持了其動(dòng)態(tài)特性。
具備超低導(dǎo)通電阻的分立式封裝
除了集成Easy模塊系列之外,CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H產(chǎn)品組合還采用了TO247-3和TO247-4分立式封裝,導(dǎo)通電阻值極低,根據(jù)不同的型號(hào)分為7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。這些新器件的最大柵源電壓低至-10 V,改善了柵極電壓過沖和下沖,并且實(shí)現(xiàn)了良好的抗雪崩擊穿能力和短路耐受能力,可以輕松用于產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
CoolSiCTM MOSFET 1200V TO247-3和TO247-4
以前在D2PAK-7L封裝中引入的英飛凌.XT互連技術(shù),現(xiàn)在也可在TO封裝中實(shí)現(xiàn)。較之標(biāo)準(zhǔn)互連技術(shù),其散熱能力提高了30%以上。這樣的散熱性能提升帶來了極大的裨益,可以將輸出功率提高多達(dá)15%。另外,它還能提高開關(guān)頻率,進(jìn)一步減少諸如電動(dòng)汽車(EV)充電、儲(chǔ)能或光伏系統(tǒng)等應(yīng)用中所需的無源器件,從而提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。.XT互連技術(shù)可降低SiC MOSFET結(jié)溫,而不改變系統(tǒng)運(yùn)行條件,因此大大延長(zhǎng)了系統(tǒng)的使用壽命,提高了功率循環(huán)能力。這也是伺服驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備的關(guān)鍵要求。
新推出的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進(jìn)一步釋放SiC技術(shù)的應(yīng)用潛力,在全球范圍內(nèi)推動(dòng)清潔能源的開發(fā)利用,并提高能源效率。
供貨情況
各種型號(hào)的模塊和單管產(chǎn)品現(xiàn)已開放訂購(gòu)。
評(píng)論