TFT-LCD中周邊顯示不均改善研究
1 引言
配向膜(polyimide, PI) 在TFT-LCD 技術(shù)中主要起到控制液晶分子排列方向的作用[1]P71-75。TV 面板中PI的涂布設(shè)備多采用噴墨打印技術(shù)(Inkjet Printing)[1]P139-141,該技術(shù)相對(duì)舊式的轉(zhuǎn)印方式(Roller Coater) 有PI用量精準(zhǔn),損耗小,效率高等優(yōu)點(diǎn),但因?yàn)樵摷夹g(shù)下PI 是靠液滴自然流平成膜,導(dǎo)致邊緣出現(xiàn)PI 膜厚偏薄的狀況,隨著窄邊框產(chǎn)品發(fā)展,PI 邊緣到AA(Active Area) 區(qū)域距離不斷壓縮,面板周邊顯示問(wèn)題越顯突出,其中周邊顯示不均問(wèn)題最為嚴(yán)重。
2 異常解析
2.1 不良現(xiàn)象
液晶面板在進(jìn)行可靠性分析(Reliability analysis,RA) 的高溫高濕動(dòng)作測(cè)試(HPHHO) 時(shí),低灰階下面板四邊邊緣會(huì)出現(xiàn)顯示不均現(xiàn)象,邊緣較AA 區(qū)呈現(xiàn)發(fā)白分層,該區(qū)域?qū)挾燃s1cm。
2.2 CTQ確認(rèn)
2.2.1 從邊緣向內(nèi)貫穿測(cè)量,邊緣發(fā)白區(qū)Cell gap 測(cè)量無(wú)差異,預(yù)傾角NG 區(qū)較OK 區(qū)偏小約0.2°;
2.2.2 CF 基板去除PI 膜前在鈉光燈下可見,去除PI 后不可見;
2.2.3 CF PI 膜厚NG區(qū)域較OK區(qū)域偏薄100 ? (OK區(qū)域PI 膜厚1000 ?);
2.2.4 測(cè)量不同PI 膜厚下TFT-LCD 器件VT 特性,隨著PI 膜厚偏薄,PI 膜厚左移;
2.2.5 結(jié)論:玻璃基板邊緣PI 膜厚偏薄導(dǎo)致顯示不均。
2.3 失效機(jī)理分析
2.3.1 inkjet printing原理
通過(guò)圖1 可以建立PI 膜厚計(jì)算模型,只需要知道滴落在基板上的液滴間距DotX、DotY、平臺(tái)移動(dòng)次數(shù)N,PI 液固含量比例S、單滴PI 液質(zhì)量md、PI 液密度ρ、預(yù)主固化膜縮比F 等參數(shù)便可計(jì)算PI 膜厚:
單位面積內(nèi)PI 液滴數(shù)量C = 1/(DotX*DotY) (1)
單位面積PI 液質(zhì)量m = C*md (2)
單位面積PI 液厚度t1 = m/(1*ρ) (3)
烘烤后PI 膜厚度t2 = t1*S (4)
烘烤后PI 膜厚度t3 = t2*F (5)
滴落在基板上的液滴間距DotX、DotY 可以通過(guò)head 吐出針孔間距L、平臺(tái)移動(dòng)速度、液滴吐出頻率確定,本實(shí)驗(yàn)中采用的head 分A、B 兩列吐出,平臺(tái)來(lái)回移動(dòng)期間head 均吐出PI,因此
DotX = L/2/N (6)
DotY = v/f (7)
由(1)-(7) 得
PI 膜膜厚= 1/(L/2/N*v/f)* md/ρ*S*F (8)
2.3.2 PI濕膜蒸發(fā)速率
根據(jù)液滴蒸發(fā)理論,液滴界面總的蒸發(fā)速率[2]
其中Dv是蒸氣在空氣中的擴(kuò)散系數(shù),ρs和ρ∞是飽和蒸氣的質(zhì)量密度和體積,可知蒸發(fā)率與液滴半徑成正比。液滴半徑容易推得:
其中θ為接觸角,V為液滴體積,可知接觸角越小,也就是基板表面越浸潤(rùn),液滴半徑越大。
由(9)、(10) 得,液滴界面蒸發(fā)速率:
另外由于本論文研究的是CF基板表面,為POA技術(shù),僅ITO及BM膜層,CF粗糙表面的浸潤(rùn)方程可以用Wenzel 方程表示:
式中θ為測(cè)量接觸角,θ0為楊氏接觸角;Rf為粗糙因子。一般地,光滑表面Rf=1 ,粗糙表面Rf>1,即表面浸潤(rùn)的界面,越粗糙則越浸潤(rùn),接觸角θ越小。
根據(jù)(11)、(12) 可以得出結(jié)論:CF 基板表面粗糙度與液滴蒸發(fā)速率成正比。
2.3.3 PI膜厚偏薄形成過(guò)程
PI 液滴被涂布在基板上擴(kuò)散成膜,在預(yù)烘烤爐中PI 濕膜的前驅(qū)膜三相接觸點(diǎn)被釘扎住(pinned),蒸發(fā)過(guò)程中,在表面張力梯度的作用下,在前驅(qū)膜三相接觸線處PI 液組分向濕膜中央流動(dòng),而濕膜內(nèi)部PI 液組分從AA 區(qū)往三相接觸線流動(dòng),同時(shí)對(duì)于整個(gè)PI 濕膜而言,三相接觸線處溫度最高,蒸發(fā)通量最大,此處溶劑首先被蒸發(fā)干,溶質(zhì)固化下來(lái),在Marangoni 對(duì)流持續(xù)影響下,濕膜AA區(qū)PI 液組分源源不斷往三相接觸線處流動(dòng)、堆積,當(dāng)PI 液濕膜固化成干膜時(shí),便出現(xiàn)邊緣PI 出現(xiàn)一個(gè)“山峰”,而往內(nèi)至AA 區(qū)之間一段PI 膜厚偏薄的現(xiàn)象。
2.3.4 PI成膜相分離現(xiàn)象
PI 液中含有NMP、DAA、BC 等溶劑成分,同時(shí)PI 液蒸發(fā)過(guò)程中分成上下兩層polymer,側(cè)鏈密度有所不同,下層polymer 不溶于BC,由2.3.3 知三相接觸線處溫度最高,溶劑首先被蒸發(fā),由于下層polymer 分子運(yùn)動(dòng)慢,BC 帶動(dòng)上層polymer 往前移動(dòng)蒸發(fā),下層polymer 再往前移動(dòng)蒸發(fā)。這樣移動(dòng)速度及蒸發(fā)速度的差異導(dǎo)致水平方向上組分不一樣,導(dǎo)致側(cè)鏈濃度差異,側(cè)鏈濃度差異直接導(dǎo)致對(duì)液晶的錨定差異,點(diǎn)燈時(shí)呈現(xiàn)顯示分層現(xiàn)象。
3 改善實(shí)驗(yàn)及結(jié)果
根據(jù)以上分析,可以從涂布設(shè)備參數(shù)、基板表面浸潤(rùn)性、液滴烘烤條件、基板搬運(yùn)條件、PI 溶劑成分配比(改變?nèi)軇┓悬c(diǎn)、溶解度、表面張力等參數(shù)) 等方面抑制marangoni 對(duì)流、指進(jìn)失穩(wěn)現(xiàn)象,從而達(dá)到減輕AA區(qū)邊緣PI 膜厚偏薄、相分離的現(xiàn)象。本文受限于生產(chǎn)條件,僅從涂布設(shè)備參數(shù)、預(yù)烘烤條件、環(huán)境條件調(diào)整進(jìn)行實(shí)驗(yàn)改善。
3.1 PI邊緣液滴加大
3.1.1 改善機(jī)理
當(dāng)head 噴頭孔徑結(jié)構(gòu)固定,吐出頻率、平臺(tái)移動(dòng)速度、涂布次數(shù)固定時(shí),PI 膜厚與單滴液滴質(zhì)量成正比,通過(guò)調(diào)整噴印設(shè)備噴頭壓電陶瓷電壓大小便可控制液滴大小。由于PI 是PI 液滴擴(kuò)散成膜,可以通過(guò)調(diào)整噴頭吐出的液滴大小,在AA 區(qū)內(nèi)部涂布通常大小的液滴,在外圍涂布一圈大液滴,從而有效解決邊緣膜厚偏薄問(wèn)題。
3.1.2 實(shí)驗(yàn)實(shí)施及實(shí)驗(yàn)結(jié)論
實(shí)驗(yàn)中,AA 區(qū)用48 ng 液滴涂布1 000 ? PI 膜厚,外圍用58 ng 液滴涂布1200 ? PI 膜厚。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下圖2,(a) 圖為SEM 測(cè)量PI 膜厚片的位置示意圖,從外圍往AA 區(qū),依次為區(qū)域1、區(qū)域2、中心區(qū),本文其他實(shí)驗(yàn)條件膜厚切片與該模型一致,(b) 圖表明周邊顯示不均的玻璃區(qū)域1 PI 膜厚858?,中心區(qū)PI 膜厚1012?,膜厚差異154?,(c) 圖表明PI 邊緣液滴加大實(shí)驗(yàn)中,區(qū)域1 PI 膜厚958?,中心區(qū)PI 膜厚1007?,膜厚差異49?,相對(duì)于周邊顯示不均玻璃膜厚差異已明顯縮小。
圖2 (a) SEM切片位置,(b) 邊緣1200 ?膜厚SEM切片結(jié)果,(c) PI邊緣液滴加大實(shí)驗(yàn)HTHHO結(jié)果
3.2 PI液加速蒸發(fā)
3.2.1 改善機(jī)理
PI 的成膜制程為:涂布前清洗→涂布→預(yù)烘烤→自動(dòng)檢查→主烘烤,其中預(yù)烘烤主要作用是蒸發(fā)掉PI 溶液中的溶劑,起到初步固化效果。由2.3.3內(nèi)容知,PI 溶液蒸發(fā)過(guò)程中存在Marangoni 對(duì)流,溶液組分會(huì)往外邊緣堆積,最終導(dǎo)致PI最外圍形成“山峰”,而靠近AA 區(qū)邊緣的PI 偏薄的狀況,因此若PI 液快速蒸發(fā),可減短Marangoni 對(duì)流時(shí)間,最終達(dá)到改善PI 邊緣膜偏薄的效果。
3.2.2 實(shí)驗(yàn)實(shí)施及實(shí)驗(yàn)結(jié)論
實(shí)驗(yàn)中,預(yù)烘烤溫度采用100 ℃,總的烘烤時(shí)間124 s 不變,在PIN1 烘烤時(shí)間從8 s 縮短至2s,在PIN2烘烤時(shí)間從116 s 增加至122 s。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下圖3, (a)圖表明周邊顯示不均的玻璃區(qū)域1 PI 膜厚858?,中心區(qū)PI 膜厚1012?,膜厚差異154?,(b) 圖表明PI 預(yù)烘烤在PIN1 的停留縮短后,區(qū)域1 PI 膜厚917?,中心區(qū)PI 膜厚1021?,膜厚差異104?,相對(duì)于周邊顯示不均玻璃膜厚差異明顯縮小,但較PI 邊緣液滴加大效果差。
圖3 PI預(yù)烘烤參數(shù)調(diào)整PI膜厚SEM切片結(jié)果
3.3 PI涂布后FFU風(fēng)量減小
3.3.1 改善機(jī)理
PI 液涂布在玻璃上擴(kuò)散流平時(shí),流平至一定程度后,PI 邊緣三相接觸點(diǎn)被釘扎住,但如受外力影響,如環(huán)境風(fēng)速、搬送抖動(dòng)等會(huì)導(dǎo)致釘扎平衡被打破,釘扎點(diǎn)外擴(kuò)。
3.3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)論
實(shí)驗(yàn)中,我們將PI 涂布后的FFU 風(fēng)量從800 m3/h下降到400 m3/h。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下圖4,(a) 圖表明周邊顯示不均的玻璃區(qū)域1 PI 膜厚858?, 中心區(qū)PI 膜厚1012?,膜厚差異154?,(b) 圖表明PI 預(yù)烘烤在PIN1的停留縮短后,區(qū)域1 PI 膜厚907?,中心區(qū)PI 膜厚1028?,膜厚差異121?,相對(duì)于周邊顯示不均玻璃膜厚差異變小,但是影響效果較PI 邊緣液滴加大及PI 預(yù)烘烤爐快速蒸發(fā)的差。
圖4 PI涂布后FFU風(fēng)量降低對(duì)PI邊緣膜厚影響
4 結(jié)論
本文介紹了PI 噴墨打印工藝中周邊顯示不均的改善方法。討論了周邊顯示不均失效的機(jī)理,即面板邊緣區(qū)域PI 膜厚偏薄導(dǎo)致PI 膜側(cè)鏈偏少,導(dǎo)致預(yù)傾角偏低,最后引發(fā)周邊顯示不均不良,而邊緣PI 膜厚偏薄是由于PI 液滴的擴(kuò)散、浸潤(rùn)、蒸發(fā)特性導(dǎo)致。可以從涂布設(shè)備參數(shù)、基板表面浸潤(rùn)性、液滴烘烤條件、基板搬運(yùn)條件、PI 溶劑成分配比等方面通過(guò)抑制Marangoni 對(duì)流、指進(jìn)失穩(wěn)現(xiàn)象,從而達(dá)到減輕AA 區(qū)邊緣PI 膜厚偏薄、相分離的現(xiàn)象。本文給出了三種有效對(duì)策:PI 邊緣液滴加大、PI 液加速蒸發(fā)、PI 涂布后FFU 風(fēng)量減小,其中PI 邊緣液滴加大最為有效,且操作簡(jiǎn)單,可有效應(yīng)用到所有產(chǎn)品設(shè)計(jì)中。
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(本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2022年5月期)
評(píng)論